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NTE159M PNP晶体管

NTE159M是一种通用PNP晶体管,最大增益为300,收集器电流为600mA。它的收集器饱和电压为1V,可用于开关和放大器电路。

引脚配置

引脚号

引脚名称

描述

1

根据

控制晶体管的偏置,用于打开或关闭晶体管

2

集电极

电流通过收集器流入,通常连接到负载

3

发射极

电流通过发射极流出,通常连接到地面

特征

  • 通用PNP晶体管
  • 直流电流增益(HFE)100至300
  • 连续收集器电流(IC)为600mA
  • 收集器发射器电压(VCE)为60 V
  • 收集器基压(VCB)为60V
  • 发射极基电压(VBE)为5V
  • 在TO-18包中可用

笔记:完整的技术详细信息可以在此页面末尾的数据表赠品上找到。

互补的NPN晶体管:NTE123A

等效PNP晶体管:2N2907,KST2907(SMD)

其他PNP晶体管:BC157,BC556,2N3906,2SA1943,BD140,S8550,TIP127,TIP42

在哪里使用NTE159M

NTE159M是TO-18软件包中可用的通用PNP晶体管。晶体管具有其互补的NPN版本,称为NTE123A,两者的数据表都可以在下面找到。由于这些形成了互补对,因此可以在设计中使用NPN和PNP晶体管或相同特性的设计。推杆电路,B级放大器,H桥电路是很少的示例电路,其中需要互补的晶体管。

NTE159M的收集器饱和电压为1V,A可以以高频切换,使其适用于放大器设计。您还可以查看2N2907晶体管,如果您正在寻找该NTE159M晶体管的替代软件包,则2N2907也可以在标准TO-92软件包中获得。

申请

  • 通用切换
  • B类放大器设计
  • H桥电路
  • 推扣配置电路
  • 中速开关
  • 高频放大器

2D模型

2D尺寸将帮助您在将电路制作到完美板或PCB时将此组件放置。

NTE159M PNP晶体管2-D模型

组件数据表

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