NPN信号晶体管

2019年1月16日 - 0评论

MMBT3904晶体管

MMBT3904引脚

的MMBT3904是和SMD包NPN型Transistor加V_CE集电极电流200mA。它可以用作小信号开关晶体管。它还具有6V的低基电压。

销的配置

密码	销的名字	描述
1	发射器	电流通过发射极流出
2	基础	控制晶体管的偏置
3.	收集器	电流通过集电极

特性

NPN小信号晶体管
集电极电流(Ic)连续200mA
集电极到发射极电压(VCE)为40V
发射极至基极电压(VEB)为6V
电流增益(hfe)为100到300
过渡频率:300 mhz
可在SOT23 SMD包

注:完整的技术信息可在本页末尾的数据表中找到。

MMBT3904的通孔等效

2N3904

其他NPN型晶体管:

BC549BC636 BC639,2 n2222to - 92,2n2222 to-18, 2n2369, 2n3055，2N39062 sc5200

MMBT3904简要描述

BT3904是一个NPN晶体管，因此当基脚保持在地时，集电极和发射极将保持开路(反向偏置)，当信号提供给基脚时将关闭(正向偏置)。BT3904最大增益值为300;这个值决定了晶体管的放大能力。可以通过集电极引脚的最大电流是200mA，因此我们不能使用这个晶体管连接消耗超过200mA的负载。为了偏置晶体管，我们必须向基脚提供电流，这个电流(IB)应该被限制在5mA。

当这个晶体管是完全偏置，然后它可以允许最大200mA流过集电极和发射极。这一阶段称为饱和区，通过集电极-发射极(VCE)或集电极-基极(VCB)允许的典型电压分别为40V和60V。当基极电流被移除时，晶体管完全关闭，这一阶段被称为截止区，基极发射极电压可以在600 mV左右。