IRF1010E–N沟道功率MOSFET

IRF1010E是一种n沟道增强MOSFET，设计用于高速开关应用。它也有低的打开电阻。与任何其他MOSFET一样，IRF1010E是电压控制器件，MOSFET的状态由GATE电压决定。

IRF1010E销配置

它有三个别针门，排水和源. 这个IRF1010E引脚配置下面给出。

密码	销的名字	描述
3.	源	正常接地
2	排水	通常连接到负载
1	门	通常用作开启场效应晶体管的触发器。

IRF1010E功能和规格

• 先进的工艺技术
• 全雪崩额定值
• 快速切换
• 第五代HEXFET
• 漏极和源极之间的最大电压：60V
• 最大连续电流允许槽漏:81A
• 最大脉冲漏电流：330A
• 通过GATE和SOURCE的最大电压:20 V
• 最高工作温度:175ºC
• 最大功耗:170w

注意:完整的技术信息可在中找到IRF1010E数据表链接在本页底部。

IRF1010E当量

irfb4110, irfb4110g, irfb4115, irfb4310z, irfb4310zg, irfb4410

在哪里使用IRF1010E?

使用IRF1010E的原因有很多，以下是一些:

• 当您需要一个高速开关设备为中等功率负载。如上所述，IRF1010E是专门为中功率负载的高速切换而设计的，因此在这些地区非常流行。
• 当您需要低功耗开关设备时。MOSFET具有非常低的导通电阻，导致导通状态下的压降非常低，这在某些应用中是必须的条件。
• 随着低降，MOSFET的功率损失将更少。功率损耗越小，系统的效率越高。因此，MOSFET是高效率应用的首选。

如何使用IRF1010E

IRF1010E MOSFET可以像任何其他功率mosfet一样使用，所以让我们考虑一个IRF1010E的示例电路如下所示。

在上述电路中，我们使用IRF1010E作为简单的开关器件。在电路中，我们使用的是小型汽车随着负载。开启MOSFET的触发器由控制单元提供(不是单片机，因为单片机不能提供高于+5V的电压)。SOURCE已接地。这里的电源是+12V电池。

控制单元触发电压= V1

栅电压= V2

电阻器R1和R2在此形成分压器电路，以在栅极处提供适当的电压。因此，它们是根据控制单元触发电压（V1）和MOSFET栅极阈值电压来选择的。

例如，考虑控制单元提供电压+12V的脉冲。同样，对于打开MOSFET IRF1010E完全我们需要栅电压10V。

所以V1 =+12V V2 =+ 10V

我们可以选择R1和R2作为，

R1	R2
200Ω	1 kΩ
400Ω	2KΩ
2KΩ	10 kΩ

与分压器电路形成的任何上述表将给准确的+10V在MOSFET栅极。这个电阻设置可以选择不考虑从MOSFET的电流，因为它是微不足道的。一般情况下，这些电阻可以近似地选择。

在上述电路中，在正常情况下，MOSFET将关闭，因为这些将没有GATE电压。当MOSFET关闭时，整个VCC出现在它上面。在这种情况下，漏极电流将为零。由于漏极电流为零，电机将闲置。

当控制单元提供电压脉冲时，就会产生GATE电压。在栅极电压存在的情况下，MOSFET被调谐。这样就会有流经电机的漏极电流。有电流时，电机开始旋转。电机将继续旋转，直到出现GATE电压。

当控制单元输出变低时，栅极电压也变低。当栅极电压降至阈值电压以下时，MOSFET关闭。在关闭状态下，漏电流也变为零，使电机停止。

通过上面的场景，你可以知道MOSFET用作开关器件触发器由控制单元提供。这样我们就可以在任何应用中使用IRF1010E作为开关设备。上面使用的电路是一个简单的测试电路，不是一个应用电路。应用电路必须有需要的安排，如散热片，反激二极管等。

应用程序

1. 基本上任何开关应用
2. 速度控制单元
3. 照明系统
4. 脉宽调制的应用程序
5. 继电器驱动程序
6. 开关电源

二维模型

所有测量单位为毫米(英寸)