FDV301N N沟道MOSFET

fdv301n.是名为的半导体器件Mosfet.（金属氧化物半导体场效应晶体管）并用作应用中的高速开关装置。该器件是N沟道增强模式场效应晶体管，其使用于半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。这种非常高的密度工艺尤其定制以最小化状态电阻。此外，由于设备是逻辑电平MOSFET，它可以通过数字电路电压电平触发+ 3.3V和+ 5V的触发。

PIN配置

fdv301n.是一个三个引脚装置，如图所示，下面规定了每个引脚的功能。

别针	名称	功能
1	流走	电流从该引脚进入设备。
2	门	根据此引脚施加的电压，MOSFET导通和关闭。
3.	来源	通过该引脚进入设备的电流。该引脚通常连接到地面。

FDV301N特点和电气特性

• 逻辑电平MOSFET - 非常低级栅极驱动器要求，允许在3V电路中直接操作。
• 非常低的导通电阻：RDS（ON）=5Ω@ VGS = 2.7 V，RDS（ON）=4Ω@ VGS = 4.5 V.
• 用于ESD坚固性的栅极 - 源极（> 6KV）
• 用一个DMOSFET替换多个NPN数字晶体管。
• 最大漏极源电压：25V
• 最大栅极源电压：8V
• 最大连续漏极电流：0.22A
• 峰值漏极电流允许：0.5A
• 工作温度范围：-55ºC至150ºC
• 最大功耗：0.35W

类似的MOSFET.

BF995，TP0101T，TP0202T，IRLML2402

FDV301N使用

• fdv301n.是A.数字MOSFET.这可以通过将电压低至2.0V的电压施加到其门来触发。通过这种情况，该设备可用于所有低压数字电路。
• FDV301N也可以作为更换数字电路中的所有传统晶体管的高速开关装置，因为它专为高速开关应用而设计。
• 该装置的抵抗力非常低，这是一些应用中的必须条件。
• 该器件还优选的是高效率应用，因为切换过程中的低液滴导致较少的功率损耗，并且功率损耗较少的系统将更多。

如何使用fdv301n

为了理解这一点FDV301N的工作让我们考虑一个简单的应用电路，如下所示。

在电路中，FDV301N用作a简单的开关设备带有开关负载是LED。有两个电源，一个（5V），用于为负载LED供电，用于为MOSFET的栅极提供电压。按钮是打开设备的触发器。

现在让我们记住N沟道增强MOSFET的特点：

• 当栅极源结处的电压不符合阈值时，MOSFET不会进行。
• 电流通过漏极通过栅极电压确定到某个点。如此较高的栅极电压，降低MOSFET传导电阻并越高漏极电流。此外，MOSFET仅在栅极电压的存在期间引导，因此驻塞栅极电压移除MOSFET停止导通。

将应用于上述电路中的设备相同的特性。因此，当按下按钮时，将没有栅极电压，MOSFET不会导通电流。由于在没有栅极电压的情况下，MOSFET发挥作用作为开路电路的+ 5V的整个电源电压出现在该装置上。

按下按钮按下按钮的正电压+ 3.3V出现在设备的栅极处。并且基于图中所示装置的传递特性，栅极的电压为2.5V，对于装置开始导通。

当漏极电流流动时，电压出现在LED上的电压上，将其保持在该状态，直到释放按钮。通过切换按钮，我们正在切换和关闭负载。在高频应用而不是按钮中，我们将具有微控制器PWM或其他控制信号。

因此，通过使用上述电路，我们已经使用FDV301N作为交换装置，并且以类似的方式，我们可以在其他应用电路中使用该设备。

应用程序

• DC-DC转换器。
• 电池供电系统。
• 显示驱动程序。
• 电源管理功能。
• 内存电路。
• 基本交换应用。
• 继电器司机。

2D模型