通用PNP晶体管

2021年9月20日 - 0评论

BC638 PNP型晶体管

BC638晶体管引出线

的BC638是一个PNP晶体管在一个TO-92封装，具有-60V的VCE和1A的连续集电极电流。具有这种特性和1W的总功耗，这种晶体管可以用于中高压开关应用。

晶体管引脚配置

密码	销的名字	描述
1	发射器	电子从发射器发射到第一个PN结
2	收集器	从发射器发射的电子被集电极收集
3.	基地	控制晶体管的偏置

功能和规格

双极性PNP，高压晶体管
直流电流增益(hFE)最大为160
连续集电极电流(IC)为1A
发射极基极电压(VBE)是-5V
基极电流(IB)最大值为-100mA
最大集电极-基极电压|Vcb|: 50 V
集电极耗散:1w
过渡频率:100 MHz
收集器电容20 pf
最大工作结温度(Tj): 150°C
可在TO-92包

注意:完整的技术细节可在BC638数据表在本页末给出。

BC638等效晶体管

BC557，BC558，BC559，BC108，NTE159M，BC107，MMBT3904

BC638晶体管概述

BC638晶体管是一种非常通用的晶体管，可以用于许多不同的应用。这种晶体管可以用于中高压设备的切换，比如功率放大器的前级或中级放大。一般来说，功率放大器使用类似60到120V的直流，这种晶体管可以用于这种应用。该组件价格低廉，易于使用，因此最适合在选择随机开关设备时使用。当这种晶体管处于偏置状态时，它可以允许通过CE(集电极-发射器)结的最大电流为1A，这种状态的晶体管称为饱和状态，并且驱动一个消耗超过1A电流的负载可能会永久损坏设备。同时在设计过程中，需要注意的是，该设备的最大功耗为1W，大于1W会损坏设备。

在正常情况下，没有外部影响，将有一个正电压出现在PNP晶体管的基部。我们都知道，基于PNP晶体管的工作原理;在基极处有一个正电压使PNP晶体管处于高电阻状态。通过少量的电流特征需要流动的晶体管的基础完全打开设备,这个设备可以看到,为了流1000毫安电流收集器发射器,50 ma电流流过基地所需的晶体管。