高功率SIC MOSFET双模块，带有内置的NTC热敏电阻，专为可再生能源发电系统设计
东芝电子设备和存储公司已经引入了两个新的SIC MOSFET双模块，它们与广泛使用的硅（SI）IGBT模块具有越来越多的兼容性，其低能源损失特性满足了对更高效率和尺寸降低的需求
sic mosfet
最新一代硅 - 碳化物电源设备，用于快速充电EV基础架构和工业应用
Stmicroelectronics推出了其第三代STPower Silicon-Carbide（SIC）MOSFET，以利用新的第三代
电力隔离的4A SIC栅极驱动器增强了能量意识的动力系统的鲁棒性和可靠性
Stmicroelectronics引入了一个单通道栅极驱动程序STGAP2SICSN，该驱动器stgap2sicsn带有节省空间的窄体SO-8软件包，并被选择
Agileswitch数字闸门驱动器具有增强的硅碳化物MOSFET的增强开关技术
Microchip Technology Inc.已宣布了一个新的1200V生产的数字驱动器，以补充其广泛的碳化硅MOSFET离散和模块产品组合。
新的Gen 4 SIC FET提供了鲁棒性并启用新级别的设计灵活性
曼联宣布了新的6mohm，750V Gen 4 SIC FET，可提供强大的短路，并具有小于最接近SIC MOSFET竞争对手的一半的RD（ON）值。
RGWXX65C混合IGBT系列与内置的SIC二极管用于汽车充电器和UPS
ROHM半导体宣布了RGWXX65C系列（RGW60TS65CHR，
紧凑型BM2SC12XFP2-LBZ功率IC具有内置的1700V SIC MOSFET，用于减少组件计数和市场时间
Rohm打算在单个表面安装到263 7L软件包中提高效率和增加的输出功率，宣布了具有1700V SIC MOSFET的BM2SC12XFP2-LBZ功率IC。
半桥2件1200V SIC MOSFET，可靠可靠且可靠的电动电动机电台操作
在半导体上，已经引入了1200V全硅（SIC）MOSFET 2件装模块对（NXH010P120MNF1和NXH006P120MNF2），具有出色的切换性能，并增强了用于电动汽车市场（EV）市场可靠性和稳健性的热量。
液体冷却3相SIC MOSFET智能功率模块（IPM），用于高效和电动机的功率密度和航空航天应用
Cissoid已将新的液冷模块添加到其增长的3相硅（SIC）MOSFET智能功率模块（IPM）产品的平台上，用于针对较低开关损耗或更高功率量身定制的E-Mobility。
Stgapsics：带有双输入引脚的电孤立的闸门驱动器，可安全控制SIC MOSFET
Stmicroelectronics引入了Stgapsics，4A循环隔离的栅极驱动器，以安全控制碳化硅（SIC）MOSFET，并从高压导轨至1200V中运行。
TDK Corporation的电感器具有紧凑的外部尺寸和令人印象深刻的电流
WürthElektronik We-Star-Tec电缆铁氧体与安全密钥技术
Amphenol RF提供固定的长度Fakra-to-Fakra组件，其中包含流行的RG-58和RG-174电缆。
型号SF-0603HIA-M/SF-12206HIA-M系列利用Bourns的流行多层陶瓷设计
Amphenol的紧凑型ZTP-148SRC1 IR传感器可提供非接触表面温度测量。
PLC推送技术耦合继电器无需专业工具即可轻松快速连接
STM32F2 MCUS使用Advanced 90 nm NVM流程技术，带有自适应实时内存加速器
Murata的小型传感器非常适合人，物体和手势检测和距离测量
