新的600V超级枢纽机MOSFET，电阻较低，设计可显着降低家用电器和工业设备的功耗
Rohm半导体已在其600V超级交界处的Prestomos系列中添加了七个新产品，它们在阻力和最快的反向恢复方面脱颖
MOSFET具有低抗性
SIHH070N60EF -600V EF快速身体二极管MOSFET，电源较低，电源转换应用效率高
来自Vishay Intertechnology的SIHH070N60EF是最新的600V EF快速身体二极管MOSFET系列，可提供低抗性
SISS05DN - 紧凑型P通道MOSFET具有较低的抗性，可提高便携式电子功能密度
Vishay Intertechnology引入了SISS05DN，这是一种30V P通道沟槽FET Gen IV Power MOSFET，可提供行业低阻抗。
具有高性能2.4 GHz RF，低电流消耗，AI/ML硬件加速器安全库
提供1.8 V至5.5 V的广泛供应范围以及许多集成系统功能
高性能广播前端从110 MHz到727 MHz和742 MHz至970 MHz
屡获殊荣的Isomov™保护，将MOV和GDT Technologies均组合为单个组件。
具有成本效益和可靠的 - 非常适合空间有限的商业和工业应用。
Hammonds 1557系列现代风格的IP68围栏刺激性环境
5G，智能家庭，工业，汽车，医疗保健和农业物联网应用的解决方案
为关键应用开发了X8G电介质MLCC
