FQP30N60L N通道功率MOSFET
FQP30N60L是一种N通道功率MOSFET，具有中等电流的携带能力和高排水源击穿电压。
MOSFET
IRLZ34N N通道功率MOSFET
N通道高功率MOSFET（金属 - 氧化物 - 氧化物 - 局部效应晶体管）很受欢迎，可从微控制器驱动更高的电压和电流。
G3VM T型：新的高电压和高电流T型MOSFET继电器模块具有异常低的泄漏电流
Omron电子组件已发布其创新的T-Configuration MOSFET继电器模块的新高压和高电流版本。新的Omron G3VM T模块O
IR2153自振荡的半桥MOSFET驱动程序
IR2153D是受欢迎的IR2155和IR2151门驱动程序ICS的改进版本，并结合了具有类似于行业标准CMOS 555计时器的前端振荡器的高压半桥驱动器。
P55NF06 N通道功率MOSFET
p55NF06是N通道MOSFET，高排水电流为50a，低RDS值为18MΩ。它还具有20V的VGS，MOSFET将开始进行操作。因此，它通常用于驱动应用程序。
IRF530 N通道MOSFET
IRF530是一种用于高速和高功率应用的N通道MOSFET。维持100 V电压的连续电流14 A是兼容的。在脉冲模式下，它可以将负载驱动到56 A。
IRF9540 P通道MOSFET
IRF9540是一种P通道MOSFET，可将最大负载电流驱动到-19A，电压达到-100V。在脉冲模式下，它可以承受最高-72A的负载。IRF9540的设计为较低的州电阻和快速开关。
上周至8月30日推出的新组件
8月底是一个非常有趣的周，为各种汽车，工业和空间应用推出了许多令人兴奋的组件。
IRF510 N通道功率MOSFET
IRF510是第三代动力MOSFET，其快速开关和州电阻低的最佳组合。该组件的成本较低。
IRF630 N通道功率MOSFET
IRF630是专门为需要高速开关的应用而设计的第三代动力MOSFET。该组件是低国家电阻，具有成本效益和坚固设计的绝佳组合。
Laird Connectivity的Gar and Barracuda产品提供可靠性，耐用性和性能
B5L TOF（飞行时间）传感器使用光的飞行时间来测量与物体的距离。
3M的界面垫结合了一个薄而牢固的丙烯酸层，以进行良好的处理
Littelfuse的电池管理系统保险丝的工作温度范围很大
WR-FFC系列预折叠的扁平柔性电缆紧凑，薄且光线以节省空间
Murata的小型传感器非常适合人，物体和手势检测和距离测量
TDK提供了极小的电视二极管，以高效ESD保护
Amphenol高级传感器的IR传感器用于非接触表面温度测量
