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场效应晶体管

TL071运算放大器
TL071运算放大器

TL071低噪声场效应晶体管输入运算放大器

TL071H设备是行业标准设备的下一代版本。
UF3SC120040B7S SiC fet
UF3SC120040B7S SiC fet

高性能650V和1200V D2PAK-7L紧凑SiC fet可靠的开关操作

UniteSiC扩展了其FET产品组合,推出了6个新的650V和1200V选项,有30,40,80和150mΩ版本。
GAN041-650WSB GaN fet
GAN041-650WSB GaN fet

650v GaN fet用于80 PLUS钛级工业电源中降低外形尺寸和最大限度地降低系统成本

Nexperia推出了其第二代650V功率GaN FET器件系列,RDS(on)性能降至35 mΩ(典型)。
LEFPAK56D重复雪崩应用专用场效应晶体管
LEFPAK56D重复雪崩应用专用场效应晶体管

LEFPAK56D -重复雪崩应用特定FET节省空间,减少组件数量,提高动力总成应用的可靠性

Nexperia推出了重复雪崩专用FET (ASFET)产品组合,可用于控制螺线管和执行器等汽车感性负载。
650V和600V氮化镓fet来自德州仪器
650V和600V氮化镓fet来自德州仪器

650V和600V氮化镓(GaN) fet可在汽车和工业应用中提供高功率密度和效率

德州仪器的新型汽车GaN fet为650 v和600 v硝基镓
Nexperia的专用fet
Nexperia的专用fet

具有参数优化的新应用专用fet (asfet),用于电池隔离、电机控制、热插拔和PoE应用

Nexperia推出了新的专用fet (asfet),该fet具有针对特定应用的优化参数的mosfet。
UF3C/SC碳化硅场效应晶体管
UF3C/SC碳化硅场效应晶体管

新型UF3C/UF3SC系列碳化硅场效应管,RDS低7/9 mΩ,提高效率,降低损耗

United SiC推出了一系列经过改进的UF3C/SC SiC fet,以提供更高的开关速度,更高的效率和更低的损耗w
UF3C/SC -低RDS SiC fet提高效率和降低损耗
UF3C/SC -低RDS SiC场效应晶体管

UF3C/SC -低RDS SiC fet提高效率和降低损耗

UnitedSic推出了UF3C/UF3SC系列SiC fet,基于独特的级联配置设计,可提供更高的开关速度、更高的效率和更低的损耗。