f-ram

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模块|2022-04-15

2 MB密度的铁电RAM，具有串行外围界面，设计用于任务关键数据的数据记录

Infineon Technologies LLC宣布了新的辐射硬化（RAD-硬），串行界面铁电RAM（F-RAM）的可用性，非常适合进行关键任务数据记录，遥测存储以及命令和控制校准数据存储存储。

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