SST38LF6401RT-64MBIT，辐射耐受的超弹药存储器设备，可在空间应用中可靠且健壮的操作

Microchip引入了耐辐射，64megabit（MBIT）并行接口Superflash Memory设备这提供了最大的可靠性和鲁棒性。SST38LF6401RT的总电离剂量（TID）耐受性使其成为诸如太空任务之类的严酷辐射环境的最佳选择。

SST38LF6401RT可以与微芯片的空间准备好微控制器（MCUS），微处理器（MPU）和现场可编程门阵列（FPGA）一起轻松使用，这些门阵列亚博真人（FPGA）为此可扩展开发模型提供了构建块。新的商业货架（COTS）已经开发了设备以减少开发空运合格系统的时间，成本和风险。

具有向上的辐射耐受性到50 kilorad（Krad）TID，SuperFlash设备允许系统在广泛的空间应用程序中运行，以避免丢失代码执行，这可能会导致严重的缺陷和系统损失。

这SST38LF6401RT是基于ARM Cortex-M7基于ARM Cortex-M7的SOC处理器的理想伴侣和支持信科系统重新配置的RTPolarFire FPGA。SST38LF6401RT可在陶瓷版本中购买，并在评估板和演示软件中支持。

SST38LF6401RT的功能

• 优越的可靠性：耐力：最多10,000个周期 /大于100年的数据保留
• 低功耗（5 MHz的典型值）：活动电流：4 MA（典型） /备用电流：3 µA（典型） /自动低功率模式：3 µA（典型）
• 快速阅读和页面阅读访问时间：90 ns读取访问时间 / 25 ns页面读取访问时间 / 4字页读取缓冲区
• 快速擦除时间：扇区 - 验证时间：18 ms（典型） /块 - 必须否时间：18毫秒（典型） /芯片erase时间：40 ms（典型）
• 快速单词和写入缓冲器编程时间：单词编程时间：7 µs（典型） /写缓冲区编程时间：1.75 µs Word（典型） / 16字写缓冲区

笔记：可以在SST38LF6401RT数据表在此页面的底部和SST38LF6401RT产品页面。