SISS05DN - 紧凑型P通道MOSFET具有较低的抗性，可提高便携式电子功能密度

Vishay Intertechnology引入了SISS05DN，一个30V的P通道沟槽FET Gen IV Power MOSFET，可提供行业 - 低抗性。开发了新的MOSFET来提供更高的功率密度在较小的空间中。新设备是较小65％比在6毫米乘5mm包装中具有类似抗性的设备。该设备的紧凑型外形易于使用有限的PCB房地产更容易适应设计。

SISS05DN MOSFET的功能

• 提供3.5 m的低抗性ω在10V
• 在3.3mm x 3.3毫米热增强的PowerPak 1212-8s包装中设计
• 172MΩ*NC的临界值（FOM）的临界数字
• 启用Hight功率密度
• 100％的RG和UIS测试
• 符合ROHS和无卤素

笔记：有关P通道MOSFET的更多技术细节可以在SISS05DN数据表附在此页面的底部。

MOSFET的抗性比上一代解决方案低26％，比市场上的其他竞争产品低35％，而其FOM比最近的竞争设备低15％。这些竞争价值有助于该设备通过减少传导和切换损失的操作节省能源并增加电池运行时在便携式电子设备中，在最小化电压的同时，在电源路径上降低电压，以防止虚假触发。

SISS05DN凭借其行业标准的占地面积的大小，可用于使用5 V到20 V输入导轨的应用中的现有零件进行升级。新的MOSFET最适合适配器和负载开关。反向极性保护；电池供电设备，电池充电器，消费电子，计算机，电信设备等中的电动机驱动器控制。有关有关SISS05DN MOSFET，访问Vishay Intertechnology的官方网站。