RGWXX65C混合IGBTS系列与汽车充电器和UPS的内置SIC二极管

Rohm Semiconductor宣布了RGWXX65C系列（RGW60TS65CHR.那RGW80TS65CHR.， 和RGW00TS65CHR.用集成的650V SiC肖特基势垒二极管的混合IGBT。这些器件在AEC-Q101汽车可靠性标准下合格，是处理高功率的汽车和工业应用，如电动和电气化车辆（XEVS）的光伏电动调节器，车载充电器和DC / DC转换器。RGWXX65C系列采用IGBT的反馈块中的RoHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管，作为续流二极管，几乎没有恢复能量，从而最小的二极管开关损耗。

此外，由于在导通模式下不必通过IGBT处理回收电流，因此IGBT导通损耗显着降低。与车辆充电器使用相比，常规IGBT的损耗高达67％的损耗和24％的损耗均高达67％，与超级接合MOSFET（SJ MOSFET）相比。这种效果提供了良好的成本性能，同时有助于降低汽车和工业应用中的功耗。

特征

• 耐电压VCES（v）：650

• 收集器电流IC @ 100°C（A）：30

• 传导损耗VCE（SAT）典型（V）：1.5

• 续流二极管：SIC SBD

• AEC-Q101合格：是的

• 包裹：到247n

应用程序

• 汽车充电器（车载充电器）

• 车辆直流/直流转换器

• 太阳能逆变器（功率调节器）

• 不间断电源（UPS）

可用性

RGWXX65C IGBT的样品现在可用，并将在121月21日举行产品的批量生产。