用于FGPA配置和引导代码存储的辐射耐受性和QML-V合格或闪存

英飞凌Technologies AG has announced the high-density, radiation-tolerant (RadTol) NOR Flash memory products which are qualified to MIL-PRF-38535’s QML-V flow and deliver superior, low-pin count, single-chip solution for applications such as FPGA configuration, image storage, microcontroller data, and boot code storage. The devices are radiation-tolerant up to 30krad (Si) biased and 125krad (Si) unbiased. At 125°C, the devices support 1,000 Program/Erase cycles and 30 years of data retention, and at 85°C 10k Program/Erase cycles with 250 years of data retention.

最新的空间级FPGA，256MB和512MB的Radtol和闪存非易失性存储器都完全支持133 MHz SDR接口速度。英飞凌利用65纳米浮栅闪存技术，开发Radtol双QSPI非易失性存储器。512MB器件包括两个独立的256MB模具，该模具并排配合在单个封装解决方案中，为设计人员提供灵活性，用于独立骰子在双QSPI或单个QSPI模式下操作设备，提供使用第二个芯片作为备份的选项解决方案。

特征

• 温度范围：-55°C至125°C

• 辐射耐受高达30krad（si）偏置和125krad（si）无偏别

• 133 MHz SDR接口速度

• 65 nm浮栅闪存工艺技术

• 提供24x12 mm 2 36铅陶瓷扁薄包包装

• QML-V合格

应用程序

• FPGA配置

• 图像存储

• 微控制器数据

• 启动代码存储

可用性

RADTOL和闪光灯设备现在可在24x12 mm 2 36引线陶瓷平板封装中提供。