新型TPHR7404PU低尖峰功率MOSFET降低开关电源应用中的EMI

东芝推出了一款40V N沟道MOSFET“TPHR7404PU“具有低峰值能力和最新一代U-MOSIX-H工艺。该MOSFET保持0.74m的低导通电阻Ω （最大）在10V的VGS下，由于其有助于降低EMI，因此非常适合开关电源应用中的二次同步整流。其低尖峰能力可减少开关应用中的超调，并有利于高效DC-DC转换器、电机驱动器和开关电压调节器等应用。

TPHR7404PU MOSFET的栅极阈值电压为2V至3V（Id=1mA），这将有助于避免意外开启。它有一种新的单元结构，采用寄生缓冲器来减少开关过程中的噪声和振铃。此外，这种小型MOSFET采用5 x 6mm SOP Advance封装，其低0.71°C/W沟道到外壳的热阻使其适用于注重效率的小型电源解决方案。

特征

• 高速开关

• 小门电荷：QSW=34nC（典型）

• 小输出电荷：Qoss=90nC（典型）

• 低漏源导通电阻：RDS（on）=0.51 mΩ （典型）（VGS=10V）

• 低泄漏电流：IDSS=10µA（最大值）（VDS=40 V）

• 增强模式：Vth=2.0至3.0V（VDS=10V，ID=1.0mA）

应用

• 高效DC-DC变换器

• 开关电压调节器

• 汽车驾驶员