新型高性能FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70易于电机模块，以实现更高的功率密度和紧凑的设计

升级它易水冷却MOSFET模块，英飞凌科技已发布两种新的氮化铝（AIN）陶瓷这使得功率密度增加和更紧凑的设计。高性能的易商品模块，ff11mr12w1m1_b70和ff6mr12w2m1_b70来在半桥配置中具有开启状态阻力（R_{DS（上））}在EasyDual 1B封装中为11mΩ，在6mΩ中EasyDual 2B.包裹。1200 V器件适用于高功率密度应用，包括太阳能系统，不间断电源，辅助逆变器，储能系统和电动车充电器。

这些陶瓷模块配备了最新的模块冷却MOSFET.具有卓越的栅极可靠性的技术。DCB材料的提高导热率使热阻能够耐热散热片（r_Thjh.）降低至多40％。新的AIN陶瓷与冷却易于模块结合时有助于增加输出功率或减少结距，从而确保系统的改进的寿命。

特点半桥1200 V冷却MOSFET模块

• 高性能氮化铝陶瓷
• 1200 V Coolsic Stuch MOSFET技术
• 一流的简易模块包
• 半桥配置
• PressFIT技术
• DCB材料的更好的导热系数 - R_Thjh.提高40％可能
• 功率密度和紧凑的设计
• 凉爽MOSFET的良好栅极 - 氧化物可靠性
• 最小化模块与散热器之间的空腔
• 逆变器设计师的高度自由度
• 寿命更长，冷却少

EasyDual 2B 1200 V，6MΩ半桥模块，带有冷却MOSFET

• 高性能氮化铝陶瓷
• 1200 V Coolsic Stuch MOSFET技术
• 一流的简易模块包
• 半桥配置
• PressFIT技术

笔记：可以找到更多技术信息FF11MR12W1M1_B70 MOSFET模块数据表链接在本页底部和EasyDual模块FF11MR12W1M1_B70和EasyDual模块FF6MR12W2M1_B70产品页面。