新的4 SiC FET提供电路稳健性，并实现新的设计灵活性水平
USEDIC已宣布新的6MOHM，750V Gen 4 SiC FET提供强大的短路，并具有不到最近的SIC MOSFET竞争对手的RDS（ON）值。该公司已扩展了750V SIC FET系列，具有9个新设备/包装选项，额定值6,9,11,23,33和44MOHMS。所有器件可在To-247-4L封装中提供，而18,23,33,44和60MOHM设备也进入至-247-3L。这些SIC FET是充满挑战性的，新兴应用的理想选择，包括牵引驱动器和电动车辆中的卸载充电器以及可再生能源逆变器，功率因数校正，电信转换器，电信转换器的单向和双向功率转换的所有阶段。yabo562. vip和AC / DC或DC / DC电源转换。
Gen 4 SiC FETare a ‘cascode’ of a SiC JFET and a co-packaged silicon MOSFET that together provide the full advantages of wide band-gap technology – high speed and low losses with high-temperature operation while retaining an easy, stable, and robust gate drive with integral ESD protection. These devices reduce thermal resistance from die to case by advanced wafer thinning techniques and silver-sinter die-attach which enable maximum power output for low die temperature rise in demanding applications.
本系列为设计人员提供了更多的设备选项，实现了更多的设计灵活性，以实现最佳的成本/效率折衷，同时保持慷慨的设计边距和电路鲁棒性。此外，新的750V Gen 4 SiC FET的定价为UJ4C075044K3的4.15美元，为UJ4SC075006K4S为23.46美元，所有设备都可以从授权分销商提供。
