masterergan4功率封装采用两个对称650V GaN功率晶体管，可用于高达200W的高效功率转换应用

意法半导体推出了masterergan4电源包两个对称650V氮化镓(GaN)功率晶体管225mΩ RDS(on)。通过使用宽带隙GaN功率半导体以及优化的门驱动器和电路保护，新器件简化了高效率的设计功率转换应用可达200W．

与可承受3.3V至15V电压的输入masterergan4可以通过将封装直接连接到霍尔效应传感器或CMOS设备(如微控制器、DSP或FPGA)来控制。功能包括更高的工作频率在美国，降低散热的效率提高使设计人员可以选择小型磁性元件和散热器来构建更紧凑、更轻量的电源、充电器和适配器。

与一个供电电压范围从4.75V到9.5Vmaxergan非常适合用于对称半桥拓扑以及软开关拓扑，如有源钳位反激和有源钳位前激。新器件包括各种保护功能，如门-驱动器联锁、低侧和高侧欠压锁定(UVLO)、过温保护和专用停机引脚。

除了masterergan4电源包，ST还推出了专用的原型板(EVALMASTERGAN4)，它提供了一套完整的功能，可以通过单一或互补的驱动信号驱动masterergan4。MasteGaN4采用9mm x 9mm x 1mm的GQFN包装，1000件的订单价格为5.99美元。

masterergan4电源包的特点

• 集成半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管的600v系统封装
• 逆电流能力
• 零反向回收损失
• 低侧和高侧UVLO保护
• 内部自举二极管
• 联锁功能
• 专用引脚关闭功能
• 精确的内部定时匹配
• 3.3 V到15v兼容输入，具有迟滞和下拉
• 过热保护
• 材料减量清单
• 非常紧凑和简化的布局
• 灵活、简单、快速的设计

注意:更多的技术信息可以在MasterGaN4数据表链接在本页底部和产品页上masterergan4动力包．