用于软开关和有源整流变换器拓扑的非对称氮化镓晶体管优化

用意法半导体的masterergan2进行了设计两个不对称氮化镓(GaN)晶体管提供适合的集成GaN解决方案软开关和有源整流变换器拓扑。650V常关氮化镓晶体管打开电阻(RDS(on)) 150mΩ和225mΩ．该器件将先进的集成技术与GaN的固有性能优势相结合，扩大了效率增益、尺寸减小和主动箝位反激等拓扑结构的重量节省。

masterergan家族是两者的结合氮化镓高电子迁移率晶体管和相关的高压闸门司机在同一个包里。masterergan设备允许用户直接连接外部设备，如霍尔传感器和控制器，如DSP, FPGA或微控制器。输入是兼容的从3.3V到15V的逻辑信号，这有助于简化电路设计和材料清单，允许更小的占地面积和流线型组装。氮化镓技术旨在开发更小80%、更轻70%、速度3倍的USB-PD适配器和智能手机充电器。

masterergan2由低侧和高侧欠压锁定(UVLO)、门驱动联锁、专用关机引脚和过温保护保护。该9mm x 9mm x 1mm GQFN封装为高压应用进行了优化，在高压和低压垫之间有超过2mm的爬电距离。

masterergan2正在生产中，订单1000件起价6.50美元。

MasterGaN2的特点

• 600v系统集成半桥栅驱动器和高压GaN功率晶体管
• RDS(ON) = 150 mΩ (LS) + 225 mΩ (HS)
• id (max) = 10 a (ls) + 6.5 a (hs)
• 反向电流能力
• 零反向恢复损耗
• 低侧和高侧UVLO保护
• 3.3 V到15v兼容输入与迟滞和下拉
• 关闭功能专用引脚

注意:更多的技术信息可在MasterGaN2数据表链接在本页的底部和MAsterGaN2产品页面。