液冷三相SiC MOSFET智能功率模块(IPM)在电动汽车和航空航天应用中的高效率和功率密度

CISSOID为其不断发展的三相碳化硅(SiC) MOSFET智能功率模块(IPM)产品平台增加了新的液冷模块电动出行为更低的开关损耗或更高功率。公司还推出了基于a轻质铝sic平板底板这满足了航空航天和专用工业应用中自然对流或强制冷却的需求。

这些新的针翅基板液冷电源模块可以提供340A至550A最大连续电流的1200V阻塞电压．与一个导通电阻范围从2.53m欧姆到4.19m欧姆根据额定电流的不同，这些器件在600V/300A时的总开关能量低至7.48mJ (Eon)和7.39mJ (Eoff)。反向偏置安全操作区(RBSOA)允许峰值电流高达600A，直流母线电压高达880V。这使得这些电源模块完全安全的800V电池应用。

新风冷模块的额定功率为a阻塞电压1200V和一个最大持续电流340A。与3.25mOhms的导通电阻，风冷模块在600V和300A时的开、关开关能量分别为8.42mJ和7.05mJ。AlSiC平板散热电源模块具有良好的散热性能，额定结温为175℃，环境温度为125℃。

新发布产品的部件编号为CXT-PLA3SA12340AA (1200V/340A/引脚翅基板)、CXT-PLA3SA12550AA (1200V/550A/引脚翅基板)和CMT-PLA3SB12340AA (1200V/340A/平板基板)。

三相SiC MOSFET智能功率模块(IPM)的特点

• 电源设备结温:-40°C到+175°C
• 栅极驱动器环境温度:-40°C至125°C
• 漏源极击穿电压:1200V
• 低导通电阻:2.53 ~ 4.19mOhms。
• 最大持续电流:在Tf=25°C时340A至550A
• 热阻:0.15°C/W典型。
• 转换能量@ 600V/300A: Eon=7.5mJ至9mJ/Eoff=7mJ至7.4mJ
• 开关频率:25KHz最大
• 隔离(底板-电源引脚):3600VAC @50Hz (1min)
• 共模暂态抗扰度:>50kV/μs
• 低寄生电容(一次-二次):典型的11pF /相位
• 栅极驱动保护:欠压锁定(UVLO)，去饱和保护，软关闭(SSD)，负栅极驱动(-3V)，有源米勒箝位(AMC)，门源短路保护

注意:更多的技术信息可以在CXT-PLA3SA12340A数据表链接在本页的底部和产品页3相SiC MOSFET智能功率模块(IPM)．