用于快速充电电动汽车基础设施和工业应用的最新一代碳化硅动力装置
意法半导体公司推出了第三代STPOWER碳化硅(SiC) mosfet该技术利用了新的第三代SiC平台，并且相对于其模具尺寸具有更高的额定电压，使该技术成为电动汽车应用和快速充电电动汽车基础设施的最佳选择。这些mosfet为公认的优点图(FoMs)[导通电阻(Ron) x模尺寸和Ron x栅极电荷(Qg)]设定了新的行业领先基准，以表达晶体管效率、功率密度和开关性能。
这些设备得益于一个非常快的固有二极管，该二极管提供汽车车载充电器(OBC)所需的双向特性，该充电器用于车载V2X (Vehicle-to-X)潮流，允许OBC电池的电力传输到基础设施。此外，它们的高频能力允许电力系统中更小的无源部件，从而允许车辆中更紧凑和轻量化的电气设备。yabo手机版登录
特性
AEC-Q101合格
在整个温度范围内RDS很低(开)
高速开关性能
非常快速和强大的固有体二极管
增加效率的源传感引脚
应用程序
yabo562. vip
工业应用
可用性和价格
第一个可用的产品是650V SCT040H65G3AG，定价为5.00美元。
