高速VEMD8081 PIN光电二极管,用于提高可穿戴设备和医疗应用中的生物传感器性能
威世半导体的速度快,灵敏度高VEMD8081PIN光电二极管使改进的生物传感器性能以及可穿戴设备的超薄设计.在一个紧凑的长方形中4.8毫米由2.5毫米表面贴装的器件封装与5.4毫米2敏感地区及低0.48 mm剖面,这种新设备提供了一种增加33 μ A光电流增强了可见光的灵敏度。
该设备提供反向光电流增加15%与以前的版本(VEMD8080)相比,并保持相同的包尺寸。这提供了一个插入式替换,从而通过增加信号输出或通过降低LED电流延长电池寿命来提高性能。当放置在两个脉冲绿色led之间时,这个PIN光电二极管用于光学心率检测健身追踪器和智能手表。
皮肤反射的光被光电二极管接收并转换为输出电流,该设备增加的灵敏度确保了准确的测量。矩形形状的设备使光电二极管接收反射光的面积最大化,消除了通常在方形光电二极管中发现的浪费区域。当与红色和红外发射器结合使用时,该设备是医疗监测器中SpO2测量的理想选择。
使用该公司成熟的晶圆技术,VEMD8081可以检测可见和近红外辐射,光谱范围从350纳米到1100纳米.对于高采样率,该器件具有快速的开关时间和50 pF的低电容,具有±65°角的半灵敏度,工作温度范围为-40°C至+85°C,峰值灵敏度波长为840 nm。
符合rohs标准,无卤素,Vishay绿色,这种新型光电二极管根据J-STD-020提供3级的水分敏感性(MSL),地板寿命为168小时。VEMD8081的样品和量产时间为10周。
的特性VEMD8081硅PIN光电二极管
- 增强对可见光和红外光的灵敏度
- 4.8毫米乘2.5毫米的矩形俯视图,表面贴装包低0.48毫米的轮廓
- 典型反向光电流33 μ A
- 辐射敏感面积为5.4 mm²
- 光谱范围从350纳米到1100纳米
- 快速的开关时间和50 pF的低电容可以实现高采样率
- ±65°半灵敏度角
- 温度范围-40°C至+85°C
- 840nm波长的峰值灵敏度
- 符合rohs标准,无卤素,Vishay绿色
- 符合J-STD-020的湿度敏感等级(MSL)为3,地板寿命为168小时
注:更多技术信息可在VEMD8081PIN光电二极管数据表链接在本页底部和VEMD8081PIN光电二极管产品页面。