半桥LFPAK56D mosfet为空间受限的汽车应用提供了60%的低寄生电感和更好的热性能
Nexperia已宣布发布一系列的半桥式汽车mosfet (BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H)提供寄生电感降低60%，热性能提高用于动力系统、电机控制和DC/DC应用．这些器件的半桥(高侧和低侧)包符合aec - q101标准，适用于三相汽车动力总成应用，如燃料和水泵、电机控制和DC/DC电源转换。
LFPAK56D半桥采用现有的大批量LFPAK56D组装工艺，具有可靠的汽车可靠性。灵活的引线使用的包装格式有助于提高整体可靠性， mosfet之间的内部铜夹连接简化了PCB设计，并带来了即插即用风格的解决方案特殊的电流处理能力．与现有的三相电机控制拓扑的双mosfet相比，这些新的LFPAK56D场效应管占领PCB面积降低30%，寄生电感降低60%用于高性能开关应用。
两种器件的额定电压均为40v，并在关键测试中以汽车AEC-Q101规范的两倍进行验证，并使用高鲁棒的Trench 9汽车硅工艺技术。的路S(上)设备的测量4.2 mOhm (BUK7V4R2)和13 mOhm (BUK9V13 .）.封装格式使用灵活的引线来提高整体可靠性，mosfet之间的内部铜夹连接简化了PCB设计，并带来了即插即用风格的解决方案，具有98 a的出色电流处理能力。
LFPAK56D半桥mosfet的特点
- 由于内部夹式连接，寄生电感降低60%
- 与LFPAK56D dual相比，PCB节省30%的空间
- 高性能ID max > 60a
- 低热阻
- BLR的灵活引线
- 占地面积兼容LFPAK56D双
- 外部引线易于AOI
- 超越汽车产品AEC-Q101
注:更多技术信息可在BUK7V4R2-40H半桥mosfet数据表链接在本页底部和LFPAK56D半桥mosfet产品页面。
