基于GAN半导体技术的低噪声放大器，用于强大的输入功率保护
Fairview Microwave推出了基于氮化炮（GAN）半导体技术的输入保护低噪声放大器（LNA），以提供强大的输入保护。新的涵盖了所需的微波炉和MM波频带，因此它们适用于电子战，雷达，空间系统，R＆D，原型/概念证明，ECM，Microwave Radio，VSAT，SATCOM，SATCOM和测试和测量应用。
LNA提供的高击故障电压RF输入功率信号的耐受性较高同时保持良好的低噪声数字性能。LNA功能高收益高达46 dB典型，高RF输入功率最多可处理10瓦CW，宽带频率从1到23 GHz不等，和低噪声数字低至1.5 dB。LNA中使用的GAN技术可确保最先进的性能，具有出色的功率与体积比非常适合宽带高功率应用。
输入受保护的LNA的功能
- GAN半导体技术
- 宽带频率范围为1-23 GHz
- 高RF输入功率最多可处理10瓦CW
- 高收益高达44 dB typ
- 低噪声图低至1.5 dB
- 坚固的米尔级SMA连接包装
笔记：可以在FMAM1075数据表在此页面的底部和GAN输入受保护的低噪声放大器产品页面。
组件数据表
