G3VM T型：新的高电压和高电流T型MOSFET继电器模块，具有异常低的泄漏电流
Omron电子组件已发布其创新的T-Configuration MOSFET继电器模块的新高压和高电流版本。新的OMRON G3VM T模块提供固态继电器的出色可靠性和耐用性，以及仅1Pa或更低的泄漏电流的异常可靠性和耐用性。这些Omron T模块有效地结合了机械和MOSFET继电器的优势，以提供准确，紧凑且持久的开关溶液，而无需机械接触。此外，这些设备是表面安装并在SPST中提供的，无需配置。
新的Omron G3VM-61MT和G3VM-101MT连接了高隔离G3VM-21MT，分别具有800mA和550mA的负载电流。这些新设备的电荷载特性为G3VM-61MT的60V，而G3VM-101MT的电荷特性为100V。G3VM -21MT的特殊隔离性能在1GHz时少于-30dB，额定为200mA，20V。这些设备的低泄漏电流是通过独特的t电路结构来实现的，该结构将大多数泄漏电流发送到地面。
通过将T电路掺入模块中，这些设备具有5mm x 3.75mm x 2.7mm的紧凑尺寸，并在所有类型的测试设备中支持精确的测量，这些测试设备由于其低泄漏电流而先前首选机械继电器。
