650V Trenchstop IGBT7 in-247外壳，具有优异的高湿度工业应用EMI性能
英飞凌技术在A中发布了Trenchstop IGBT7技术离散住房适用于工业电机驱动器，功率因数校正，光伏和不间断电源。新的Trenchstop系列产品组合包括电流额定值为20a，30 a，40a，50a和75a。它很容易用于更换以前的技术和并行。
Trenchstop IGBT7芯片进来A.到247，650 V分解电压。它是在新的微图案沟槽技术上设计的，并且具有更低的静态损耗。此外，它为相同的电流等级提供较低的静态损耗和较少的导通电压较少。
IGBT T7技术有一个非常低的饱和电压（VCE（SAT）的）并与一个共同包装发射器控制7.钍一代（EC7）二极管，提供了一个150 mV下向前电压（VF） 降低提高了反恢复的柔软度。此版本的IGBT7提供短路稳健性，具有卓越的可控性，优异的EMI性能，可以轻松调整以提供特定于应用的DV / DT和切换损耗的最佳比例。该设备已成功通过了基于JEDEC的HV-H3TRB（高压高湿度高温反向偏置）试验从而证明高湿度工业应用中的坚固性。离散650 V Trenchstop IGBT7可在公司页面上获得。
关键特征Trenchstop IGBT7.
- 到247，650 V分解电压
- 极低饱和电压（VCE（SAT）的）
- 包括发射器控制7钍一代（EC7）二极管
- 电流额定值为20a，30 a，40a，50a和75a
- 提供150 mV的前向电压（VF）下降并改善反回恢复柔软度
- 卓越的可控性和优异的EMI性能
- 提供DV / DT和切换损耗的最佳比例
笔记：可以在其中找到更多技术信息FP50R12W2T7数据表链接在本页底部和上面Trenchstop IGBT7.产品页面。
组件数据表
