650V凉爽的MOSFET，具有增加的雪崩能力目标高功率应用，并提供改进的开关行为

Infineon Technologies AG引入了一个新家庭冷却650 V硅碳化物（SIC）MOSFET这是基于Infineon最先进的SIC沟渠技术和针对高功率应用，包括服务器，电信，工业SMP，快速电动汽车充电，电动机驱动器，太阳能系统，储能和电池的形成。这些设备采用带有.xt互连技术的紧凑型D 2PAK SMD 7针包装，并在更高的电流下提供改进的开关行为。

从门到源的宽电压（V GS）范围从-5 V到23 V，支撑0 V v GS和Gate-source阈值电压（V GS（Th））大于4 V，此新家庭还与标准MOSFET GATE驱动程序ICS合作。这些设备的反向回收充电（Q RR）低80％，而排水源充电（Q OSS）比最佳硅参考。此外，减少的开关损耗允许以较小的系统尺寸的高频操作，从而提高效率和功率密度。

特征

• 优化在较高电流处的切换行为

• 固定的快速身体二极管与低QF

• 上门氧化物的可靠性

• TJ，最大= 175°C和出色的热行为

• 较低的RD（ON）和脉冲电流依赖温度

• 提高雪崩能力

• 与标准驱动器兼容（推荐驱动电压：0V-18V）

• 开尔文资源可提供最多4倍的切换损失

应用

• 电信和服务器SMP

• UPS（不间断的电源）

• 太阳能光伏逆变器

• EV充电基础架构

• 储能和电池形成

• D类放大器