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650V和600V硝酸盐(GAN)FET,可在汽车和工业应用中提供高功率密度和效率

来自德克萨斯仪器的650V和600V氮气FET
来自德克萨斯仪器的650V和600V氮气FET

新的汽车gan fets德州仪器为汽车和工业应用发布的650-V和600-V氮化盐(GAN)现场效应晶体管(FET)快速开关,2.2-MHz集成的门驱动器,甘尼特的新家庭,即LMG3522R030-Q1LMG3525R030-Q1与现有解决方案相比,有望帮助工程师提供两倍的功率密度,实现99%的效率并将功率磁化功率的大小降低59%。

发达使用Ti的专有GAN材料和加工能力,在锡硅(SI)底物上,新的FET提供了比可比较的基板材料(例如硅碳化物(SIC))的成本和供应链优势。

这些汽车gan fets确保为了减少电动汽车(EV)载充电器和DC/DC转换器的尺寸与现有的SI或SIC解决方案相比,高达50%。这样,工程师可以实现扩展电池范围,增加系统可靠性以及降低的设计成本。

此外,这些设备可以在AC/DC电源传递应用程序(例如高规模和企业计算平台和5G电信整流器)中高效和功率密度,在该应用中,低损失和降低的板空间起着至关重要的作用。

当以半桥配置施加时,这些新的30-mΩGANFET最多可支持4 kW的功率转换。此外,它们集成了快速切换,内部保护和温度感应,从而增强了性能并减少电源管理设计的板空间。这种集成有助于工程师消除离散解决方案所需的10个以上组件。

FET的热阻抗比竞争包装低23%。这使工程师可以在简化热设计的同时使用小散热器。通过从底部或顶部冷却包装中进行选择,这些新设备可以提供最大的热设计灵活性。FET的主动电源管理功能使工程师能够在不同的负载和操作条件下优化系统的热性能。

特点LMG3522R030-Q1LMG3525R030-Q1gan fets

  • 650-V和600-V氮化盐(GAN)现场效应晶体管(FET)
  • 快速开关,2.2-MHz集成的门驱动程序
  • 两倍的功率密度达到99%的效率
  • 与现有解决方案相比

新的LMG3522R030-Q1和LMG3525R030-Q1 650-V汽车GAN FET和评估模块的预生产版本将在2021年第一季度购买来自公司网站。

笔记:更多的技术信息可以在LMG3522R030-Q1和LMG3525R030-Q1gan fets数据表在此页面的底部和LMG3522R030-Q1和LMG3525R030-Q1gan fets产品页面。

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