650 V GaN FET用于减少形状因子，最大限度地减少80加钛级工业电源的系统成本
Nexperia推出了第二代650V电源GaN FET器件系列RDS（ON）性能降至35MΩ（典型值）。新的电源GaN FET专为单相AC / DC和DC / DC工业开关模式电源（SMPS）而设计2 kW到10 kW。新设备最适合必须满足80加钛效率法规的服务器和电信供应，它们也可用于太阳能逆变器和伺服驱动器在相同的功率范围内。
新的650V H2电源GAN FET提供提高了稳定性和效率在一个36％至247包装。Cascode配置消除了复杂驱动器的需求，将时间加速到市场。在硬开关和软切换配置中，设备可以提供出色的性能和最大的灵活性。
GaN041-650WSB GAN FET的功能
- 超低反向恢复电荷
- 简单的栅极驱动器（0 V至+10 V或12 V）
- 强大的栅极氧化物（±20 V能力）
- 高栅极阈值电压（+4 V）非常好的栅极反弹免疫力
- 反向导通模式下非常低的源极 - 漏极电压
- 瞬态过压能力
笔记：可以找到更多技术信息GaN041-650WSB数据表链接在本页底部以及产品页面GaN041-650WSB GAN FET.。
组件数据表
