3.3 KV SIC MOSFET和高电流评级的SIC SBD旨在开发用于电气运输和工业应用的有效解决方案

Microchip Technology Inc.已宣布扩大其SIC投资组合，并发布最低的抗性[RDS（ON）]3.3 KV SIC MOSFET和最高的电流率SIC SBD旨在开发较小，更轻，更有效的解决方案，用于电动运输，可再生能源，航空航天和工业应用。这些新的性能级别使设计师能够简化其设计，创建更高的功率系统，并使用更少的并行组件来实现较小，更轻，更有效的功率解决方案。

这些SIC电源设备包括MOSFET，其行业最低的RD（ON）为25 MOHM和SBD，该行业目前的90台AMP的最高评级为“ MOHM”和SBD。MOSFET和SBD均以模具或包装形式提供。这种扩展的SIC投资组合由与Microchip的Mplab Mindi模拟模拟器模块和驱动程序板参考设计兼容的一系列SIC Spice模型支持。智能配置工具（ICT）使设计人员能够为Microchip的AgilesWitch agileswitch家族的可配置数字栅极驱动程序的家族建模有效的SIC Gate驱动程序设置。

Customers can combine these SiC products with the company’s other devices including 8-, 16- and 32-bit microcontrollers (MCUs), power management devices, analog sensors, touch and gesture controllers, and wireless connectivity solutions to create complete system solutions at a lower overall system cost. These 3.3 kV SiC die and discrete devices in a variety of package options are available for order in production quantities.