30 V N通道SISS52DN MOSFET可为孤立和非分离拓扑提供高功率密度和效率

Vishay Intertechnology发布了新的30 V N通道MOSFET，SISS52DN这能够为孤立和非分离拓扑提供高功率密度和效率。安置在3.3毫米x 3.3毫米热增强的PowerPak 1212-8S包装，该公司的最新设备可提供1.5 m的耐药性ω在4.5 V.它的29.8 mωNC的抗性时间门电荷在4.5 V处，这是用于切换应用中使用的MOSFET的临界值（FOM）。

该设备非常适合低侧开关，用于同步整流，同步降压转换器，DC/DC转换器，交换机托管拓扑，或环FET和负载开关，用于服务器，电信和RF设备中的电源。高性能的MOSFET可以帮助设计师进入简化孤立和非分离拓扑中的零件选择。

该设备为100％的RG和UIS测试，符合ROHS且无卤素。总体而言，SISS52DN MOSFET导致降低传导和切换损失，以节省电源转换应用中的能量。SISS52DN的样品和生产量可提供12周的交货时间。

SISS52DN 30 V n通道MOSFET的功能

• Trenchfet Gen V Power MOSFET
• 非常低的RDS X QG-Migut-Merit（FOM）
• 以非常低的RD（ON）和热增强的紧凑型包装启用更高的功率密度
• 100％RG和UIS测试
• 1.5 mω在4.5 V抗抗性
• 3.3毫米x 3.3毫米热增强的PowerPak 1212-8S包装

笔记：可以在SISS52DN数据表在此页面的底部和SISS52DN 30 V N通道MOSFET产品页面。