-30 V和-40 V汽车级P沟道Trenchfet®功率MOSFET
Vishay Intertechnology发布了新的-30 V和-40 V汽车级P沟道Thenchfeet®功率MOSFET.在Powerpak.®SO-8L包装具有GullWing引线，用于增加板级可靠性。与DPAK中的设备相比，安装区域的减少超过50％，AEC-Q101合格SQJ407EP.和SQJ409EP.节省PCB空间和较低的成本，同时提供比任何带有GullWing导线的MOSFET在5 mm占地面积5 mm的任何MOSFET的较低的导通电阻。
由于其高功率要求，12 v汽车系统中的电机驱动器和主电源需要MOSFET，适用于反极性电池保护和高侧切换等应用具有极低的导通电阻。在耐受抵抗力下降至4.4mΩ和7.0mΩ，分别为10 v，Vishay Siliconix -30 V SQJ407EP和-40 V SQJ409EP旨在满足这种需求。另外，作为P沟道MOSFET，这些装置制造理想的负载开关，其不需要电荷泵以提供其N沟道对应物所需的正栅极偏置。
这些MOSFET提供高温操作至+175°C，而它们的沟槽引线在温度循环，板弯曲，振动和下降事件期间提供机械应力浮雕，并与刚性QFN封装相比提供出色的板级可靠性。GullWing引线还促进了来自自动光学检查（AOI）过程的更一致和可靠的结果。
铅（PB） - 免费，无卤素和符合RoHS兼容，这些装置是100％RG和UIS测试。样品和生产量SQJ407EP.和SQJ409EP.现已上市。
组件数据表
