2 MB密度的铁电RAM，具有串行外围界面，设计用于任务关键数据的数据记录

Infineon Technologies LLC宣布了新的辐射硬化（RAD-硬），串行界面铁电RAM（F-RAM）的可用性，非常适合数据记录关键任务数据，遥测存储，遥测存储以及命令和控制校准数据存储存储。该设备可提供无与伦比的可靠性和数据保留率，并且比用于空间应用的非挥发性EEPROM和串行或闪光设备更节能。它可用于为微控制器，FPGA和ASIC提供引导代码存储解决方案。亚博真人此外，这些RAD-HARD F-RAM也适用于航空和其他应用，需要军事标准温度等级从-55°C到125°C。

具有SPI的2 MB密度F-RAM是其Rad-Hard非易失性F-RAM家族中的第一个。这些设备几乎具有无限耐力，没有磨损的升级，在85°C下的10万亿读/写入周期和120年的数据保留，操作电压范围为2.0 V至3.6V。最低的工作电流为10 mA最大值，最大值，凭借2 V的极端编程电压。对行业标准串行外围界面（SPI）协议的支持可提高易用性，并支持较小的足迹和较低的销钉数量。其他功能包括带有16英寸陶瓷SOP包装的小占地面积。

特征

• 2-Mbit Ferroelectric随机访问存储器（F-RAM）逻辑组织为256K×8

• 快速串行外围界面（SPI）

• 复杂的写保护方案

• 设备编号

• 低功耗（前/邮政150克拉德TID辐射）

• 低压操作：VDD = 2.0 V至3.6 V

• 军事温度：–55°C至+125°C

• 16针陶瓷SOP包装

应用程序

• 航空应用

• 空间应用