150V GaN HEMT设备，具有8V栅极击穿电压，用于工业和通信设备的电源电路
RoHM推出了最高（8V）栅极击穿电压（额定栅极源电压）技术150V GaN HEMT设备优化工业和通信设备的电源电路。这些新的GaN设备在中电压范围内提供卓越的高频操作，并提供改进的开关特性和低电阻低比硅装置。
RoHM使用原始结构从典型的6V到8V升高了额定栅极源电压。这有助于改善设计边际和提高电源电路的可靠性。随着低功耗和对小型化的贡献，这些新设备通过低寄生电感来最大化设备性能。
通过增加额定栅极源电压并采用低电感封装来最大化设备性能，与传统硅溶液相比，切换损耗降低了65％。这些新的GaN HEMT设备适用于48V输入降压转换器电路，用于数据中心和基站，用于基站的功率放大器块，D类音频放大器，LIDAR驱动电路和用于便携式设备的无线充电电路的升压转换器电路亚慱体育官网APP在线下载。
150V GaN HEMT的功能
- 门源电压：8V
- 宽带隙
- 高电子饱和速度
- 大击穿电场
- 低中电压范围内的高频操作
- 高速切换（> 1MHz）
- 降低切换损耗
笔记：可以找到更多技术信息150V Gan Heb.数据表和产品介绍150V GaN HEMT设备。
组件数据表
