1200V硅碳化物（SIC）MOSFET提供高电压阻力，高速开关和用于工业应用的低电压

东芝提出了1200V碳化硅（SIC）MOSFET，TW070J120B高电压阻力，高速开关和低抗性在工业应用中运行。SIC MOSFET是根据东芝制造的第二代芯片设计。这提供了更高的可靠性低输入电容，低门输入充电和低排水量的抵抗力。

Compared to Toshiba’s 1200V silicon insulated gate bipolar transistor (IGBT) (‘GT40QR21’), the new SiC MOSFET cuts turn-off switching losses by about 80% and switching time (fall time) by about 70%, while delivering low On-voltage characteristics with a drain current of 20A or less.

TW070J120B有助于减少功率损失和设备尺寸在工业应用中，例如大容量AC-DC转换器，光伏逆变器和大容量双向DC-DC转换器。

TW070J120B SIC MOSFET的功能

• 第二代芯片设计（内置SIC SBD）
• 高压（VDSS = 1200V），低输入电容（CISS = 1680pf（typ。））和低门电荷（QG = 67nc（typ。））
• 低二极管正向电压（VDSF = -1.35V（typ。））和高门阈值电压（VTH = 4.2至5.8V）
• 排水源对抗性：RDS（ON）=70MΩ（典型）
• 易于处理的增强类型

笔记：更多的技术信息可以在TW070J120B数据表在此页面的底部和TW070J120B产品页面。