STP80NF70 n沟道MOSFET

的STP80NF70是一个n沟道MOSFET功率从圣微电子。有漏源电压68 v和98年连续集电极电流2-4V门阈值电压较低的。它也有低内部阻力和低输入电容使它适合高效切换应用程序。

销的配置

密码	销的名字	描述
1	源	电流通过源(最大8)
2	门	控制偏置的MOSFET(阈值电压10 v)
3	排水	电流通过下水道

特性

• n沟道MOSFET功率
• 低输入电容和门
• VDS漏源电压:68 v @ vg = 0
• 连续漏电流(ID): 98
• 门阈值电压(VGS-th): 2 v - 4 v
• 漏源电阻(RDS) < 0.0098欧姆
• 上升时间和下降时间是60 ns和75 ns
• - 220包

注意:可以找到完整的技术细节的数据表链接在页面的底部

替代STP80NF70

80年IRF3710 nf03

其他n沟道mosfet

BS170N,IRF3205,2 n7000,IRF1010E,IRF540N

关于STP80NF70

的STP80NF70是一个n沟道功率MOSFET开关负载高达68 v。Mosfet开关可能负荷消费高达98,它可以被提供一个门阈电压的2 - 4 V门销和来源。这种MOSFET的优点是它的低开态只有0.0098欧姆的电阻和低门输入电容使它适合高效率开关设备。然而贸易似乎与开关速度,它有长时间使其兴衰高速开关设备不是最好的选择。如果你喜欢较低的mosfet栅电压然后试一试IRF540N或2 n7002等。

尽管mosfet栅阈值电压很低的4 v不进行大电流在这种模式下。因此这不是一个逻辑电平MOSET,因此不能用于3.3 v或5 v设计具有良好的效率。最大的栅电压是20 v,但12 v操作应该足够体面的MOSFET的额定电压和电流。下面的图从数据表显示了MOSFET的输出特性。

如您所见,当门电压只有5 v, MOSFET开关的漏极电流可以最大漏源电压约为18时40 v。额定电流增加的栅源电压增加展示图。也是为了降低栅电压MOSFET将关闭只是部分创造更高的使用状态阻力。您可以参考这个页面的底部的数据表更多的细节

应用程序

• 高功率转换设备
• 逆变器电路
• 直流-直流转换器
• 控制电机的速度
• LED调光器或闪光
• 高速开关应用

2 d模型的组件

如果你正在设计一个PCB或穿孔板与该组件然后下面的照片STP80NF70数据表将有用的知道它的包装类型和尺寸。