IRLZ34N n沟道功率MOSFET

2021年10月19日 - 0评论

IRLZ34N MOSFET

IRLZ34N MOSFET引出线

n沟道高功率mosfet(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)在微控制器驱动更高电压和电流方面很受欢迎。他们有一个非常低的ON电阻(@0.035Ω或35毫欧姆)，因此，他们耗散较少的热量，他们通常不需要散热器(只要负载小于2.5安培)。IR MOSFET系列功率MOSFET被广泛用于支持各种应用的设备，如直流电机，逆变器，SMPS，照明，负载开关以及电池供电的应用。

IRRZ34N MOSFET引脚配置

密码	销的名字	销的描述
1	门	控制MOSFET的偏置
2	排水	电流通过漏极流入
3.	来源	电流流过源并离开场效应晶体管

特性和规格

制造商:英飞凌
安装方式:通孔组件
包/ Case: - 220
高度:15.65毫米
长度：10毫米
宽度:4.4毫米
上升时间:100ns
下降时间:29纳秒
晶体管极性：N沟道
频道模式：增强
工作温度范围： - 55⁰C至+ 175⁰C
漏源极击穿电压(VDSS) = 55V
连续漏极电流(I_d30) =
漏源极电阻(R_ds): 0.035Ω
功耗(P_d）：68 W
漏极 - 源击穿电压：55 V
最大栅极到源电压：±16 V

IRLZ34N等效场效电晶体

IRRZ44Z，IRRZ44N，IRFB3607G，IRFB3207Z，IRF3205Z，IRF1407，IRFB4310ZG，IRFB4510G，IRF3710，IRF1407，IRF1010EZ.、IRFB4321、IRFZ44V、IRFB4410等。

IRLZ34N mosfet工作(n沟道，增强型)

为了测试mosfet(增强型)，让我们简单地了解一下内部发生了什么。现在，mosfet通常用作开关。一个电压加到栅极引脚上，这就打开了漏极到源极的路径，因此它就起到了一个开关的作用。在某些情况下，这比机械开关要好因为没有移动部件。栅极与漏极和源极绝缘，它充当一个非常小的电容器，在栅极上相对于源极有正电压，打开通道，器件导电。当门源电压降至零时，器件关闭。

如何使用DMM来测试MOSFET的ON和OFF状态

现在，要测试MOSFET，请将DMM设置为二极管功能。要在关闭状态下测试MOSFET，请留出栅极而无需对其上的任何电压施加任何电压并检查漏极和源之间的连接。因此，将DMM的负探针连接到源极，并将正极导致排放。并且DMM应该显示OL（过载，这意味着有一个开路）。现在，我们应该为栅极引脚提供一个小电压并观察它充当小电容器。为此，采取DMM的正探针，暂时触摸栅极销并将正探头连接回漏极。现在我们可以看到我们一条短路（你应该能够听到蜂鸣器嘟嘟声，指示短路）。这意味着栅极被充电，MOSFET处于状态。将MOSFET放回OFF状态，我们需要排出门。由于它是一个小的电压，只需用手指触摸栅极和源，它会放电并且MOSFET关闭。