IRF630 N通道功率MOSFET

IRF630是专门为需要高速开关的应用而设计的第三代动力MOSFET。该组件是低国家电阻，具有成本效益和坚固设计的绝佳组合。

IRF630旨在维持高达200 V和9 A电流的负载电压。它可以将电流驱动到300μs的脉冲模式最高36 A，其占空比为2％。该功率MOSFET的专门设计旨在最大程度地减少输入电容和门更换，并在包装​​TO-220中提供。

IRF630 PINOUT配置

别针	引脚名称	引脚描述
1	门	控制MOSFET的偏置
2	流走	当前流通过排水
3	资源	电流通过源流出

特征

• 极高的DV/DT功能
• 快速切换
• 固有电容低
• 易于平行
• 栅极电荷最小化
• 简单的驱动要求

IRF630等效MOSFET

IRF630可以用IRFS630，IRFS631，IRF630PBF，IRF640，IRF640PBF代替，IRF644，IRF644，IRFB17N50L。

申请

IRF630的应用如下所述；

• 太阳能电源应用
• 电动机驱动器
• 充电器
• 电信申请
• 高速开关应用程序
• 能源管理
• 便携式设备

技术规格

• 晶体管类型：N通道
• 最大施加电压从排水 - 源（VDS）：200 V
• 最大排水电流（连续）ID：9 A
• 最大排水电流（脉冲）：36 A
• 最大功率耗散：74 W
• 在排水和源之间的州电阻：0.40Ω
• 闸门电压：±20 V
• 门电量QD：43 NC
• 动态DV/DT耐加度：5.8 V/NS
• 操作连接和存储温度范围：-55至150°C
• 软件包：TO-220

注意：可以在IRF630数据表附在此页面的底部。

IRF630 MOSFET与模拟一起工作

可以通过在门和源端子之间提供适当的门电压来打开MOSFET。如果未正确施加门电压，则MOSFET将保持关闭状态。例如，我们将IRF630作为MOSFET，并将此MOSFET用作开关设备打开和关闭LED。模拟在proteus中进行。

条件1：当施加的门电压大于4 V时，LED将打开。在这里，我们在门和源之间应用5 V。

条件2：当施加的栅极电压小于4 V时，LED仍处于关闭状态。在此示例中，施加的门电压为3V，LED似乎处于下图中的状态。