IRF510 n沟道功率MOSFETgydF4y2Ba

IRF510gydF4y2Ba是第三代gydF4y2Ba功率场效应晶体管gydF4y2Ba与最佳组合gydF4y2Ba开关速度快，通态电阻低gydF4y2Ba。这种组件的成本较低。因此，它被广泛应用于工业应用gydF4y2Ba功耗可达43WgydF4y2Ba。gydF4y2Ba

IRF510 MOSFETgydF4y2Ba能承受漏源极电压VgydF4y2Ba_DSgydF4y2Ba高达100V，连续漏极电流IgydF4y2Ba_DgydF4y2Ba5.6。它可以在脉冲模式下承受20A电流，属于to - 220ab封装。它是专为需要高速开关的应用，如电机驱动器，开关转换器和稳压器等。gydF4y2Ba

IRF510引出线的描述gydF4y2Ba

销不gydF4y2Ba	销的名字gydF4y2Ba	销的描述gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba	门gydF4y2Ba	控制MOSFET的偏置gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba	排水gydF4y2Ba	电流通过漏极流入gydF4y2Ba
3.gydF4y2Ba	源gydF4y2Ba	电流通过源流出gydF4y2Ba

特性gydF4y2Ba

• 动态的dv / dt评级gydF4y2Ba
• 单脉冲雪崩额定gydF4y2Ba
• 高输入阻抗gydF4y2Ba
• 线性传输特性gydF4y2Ba
• 高速开关速度(以纳秒计)gydF4y2Ba
• 易于并联gydF4y2Ba
• 操作温度高达175˚CgydF4y2Ba
• 低的热阻gydF4y2Ba

应用程序gydF4y2Ba

IRF510的申请如下。gydF4y2Ba

• UPS(不间断电源)gydF4y2Ba
• 电池充电器及管理系统gydF4y2Ba
• 电机驱动电路gydF4y2Ba
• 电信和计算机应用gydF4y2Ba
• 太阳能联合包裹gydF4y2Ba
• 快速切换应用程序gydF4y2Ba
• 开关变换器和稳压器gydF4y2Ba

技术规格gydF4y2Ba

• 晶体管极性:n沟道gydF4y2Ba
• Drain-to-source V电压gydF4y2Ba_DSgydF4y2Ba: 100 vgydF4y2Ba
• Drain-to-source当前我gydF4y2Ba_DgydF4y2Ba: 5.6gydF4y2Ba
• 导通电阻(漏源极电阻gydF4y2Ba_DSgydF4y2Ba: 0.54ΩgydF4y2Ba
• 工作温度范围:-55˚C至175˚CgydF4y2Ba
• 门费用问gydF4y2Ba_ggydF4y2Ba: 8.3数控gydF4y2Ba
• Gate-source V电压gydF4y2Ba_GSgydF4y2Ba:±20 vgydF4y2Ba
• 最大功耗:43WgydF4y2Ba
• 导电所需的最大电压:2V至4VgydF4y2Ba
• 包装类型:ab - 220gydF4y2Ba

注:更多技术规格可在gydF4y2BaIRF510数据表gydF4y2Ba附在本页的末尾。gydF4y2Ba

IRF510等效gydF4y2Ba

IRF512gydF4y2Ba，gydF4y2BaIRF120gydF4y2Ba，gydF4y2BaIRF522gydF4y2Ba，gydF4y2BaIRF520gydF4y2Ba，gydF4y2BaIRF634gydF4y2Ba，gydF4y2BaIRF532gydF4y2Ba

开关的特点gydF4y2Ba

• 开机延时时间tgydF4y2Ba_{d(上)gydF4y2Ba}: 6.9 nsgydF4y2Ba
• 关断延时时间tgydF4y2Ba_{d(下)gydF4y2Ba}: 15 nsgydF4y2Ba
• 上升时间tgydF4y2Ba_rgydF4y2Ba: 16 nsgydF4y2Ba
• 下降时间tgydF4y2Ba_fgydF4y2Ba: 9.4 nsgydF4y2Ba

模拟gydF4y2Ba

这gydF4y2Ba场效应晶体管gydF4y2Ba是一种开关装置，当有足够的栅极电压时就会打开，否则它将保持在关断状态。在这个模拟中，我们将使用IRF510来打开一个LED。如果施加的栅极电压不足以打开设备，电流将不会从漏极通到源极，LED将保持关闭状态。gydF4y2Ba

当栅极电压足以打开MOSFET时，LED将打开，电流将通过漏极到达源极。gydF4y2Ba

二维模型和尺寸gydF4y2Ba

如果gydF4y2Ba您正在使用该组件设计PCB或Perf板，那么下面的数据表图片将有助于了解其封装类型和尺寸。gydF4y2Ba