FQP30N60L N沟道功率MOSFET
FQP30N60L是一种N沟道功率MOSFET，具有中等载流能力和高漏源击穿电压。它还具有逻辑电平开关功能，这意味着可以使用较低的电压打开栅极。
FQP30N60L引脚配置
密码 |
密码名 |
Pin码描述 |
1. |
大门 |
该端子上的电压控制漏极和源极之间的传导 |
2. |
排水 |
电流流入这个终端 |
3. |
来源 |
电流从这个终端流出 |
特征
- 高电流和电压能力（60V，32A）
- 低导通电阻为0.035Ω （10伏GS)
- 快速切换
- 低输入电容（1nF）
注:完整的技术细节可在FQP30N60L数据表链接在本页末尾。
FQP30N60L等效物
其他功率MOSFET
IRFZ44N，20N60
如何使用FQP30N60L
FQP30N60L是一个N沟道功率MOSFET其特点是击穿电压高，载流能力大，导通电阻低。它是一个逻辑级MOSFET，这意味着即使在5V的低栅极电压下，它也可以完全导通。
如上图所示，N沟道功率MOSFET最常见的应用是用作低压侧开关。电源通过一个可选的分流电阻器接地，以测量电流。栅极有一个下拉电阻器，以防止MOSFET在输入处于浮动状态时意外开启。增加了一个串联栅极电阻器，以防止电流尖峰损坏栅极。为了防止在切换电感负载时出现电压尖峰，在负载上添加了反并联的反激二极管。
应用
- 汽车电子
- DC-DC转换器
- 高效功率开关
- 电池供电产品
二维模型和尺寸
如果您正在使用此组件设计PCB或Perf板，则数据表中的下图将有助于了解其封装类型和尺寸。
组件数据表
