BS170-N沟道MOSFET

引脚配置

密码。	密码名	描述
1.	D	排水终端
2.	G	门端子，用于接通电源
3.	s	源终端

特征

• 无铅装置
• 低偏移和误差电压
• 无需缓冲即可轻松驾驶
• 高密度电池设计，最大程度降低通态电阻RDS（ON）
• 压控小信号开关
• 特别适用于低电压、低电流应用
• 高饱和电流能力
• 坚固可靠
• 快速切换（吨=4ns）

技术规格

• 漏源极电压:60 V
• 栅源电压（VGS）：
  • 连续电压：±20 V
  • 非重复性：±40 Vpk
• 漏极电流（ID）：
  • 连续电流：500mA
  • 非重复电流：1200mA
• 低导通电阻:2.5Ω
• 低输入电容：22pF
• 焊接用铅温度：300℃（最高）
• 开关特性：
  • 开启时间（吨）：4至10纳秒
  • 关闭时间（TOFF）：4到10ns
• 操作和储存温度范围：-55至150℃

注:完整的技术信息可在中找到BS170数据表链接在此页面底部。

BS170等效MOSFET

2N7000,2N7002，VQ1000J，VQ1000P，IRLML2502

在哪里使用BS170 MOSFET？

通过制造DMOS技术，最适合低电压、低电流应用，如伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。BS170用于大多数需要高达500mA直流电流的应用场合。也可用于高速电路中。

如何使用BS170 MOSFET？

在这个电路中，我们只是使用BS170 n沟道MOSFET. 这里，栅极和漏极端子通过5v直流电源连接，LED连接到电源。当通过打开开关施加栅极脉冲时，MOSFET将电流通过漏极传导到源极，LED开始发光。LED保持亮起，直到应用门脉冲。当栅极脉冲移除时，LED熄灭。

应用

• 电池供电系统
• 固态继电器
• 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等。
• 直接逻辑级接口：TTL/CMOS

二维模型和尺寸