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2N7002 N频道逻辑电平MOSFET

2N7002是低电压,低电流逻辑级n沟道MOSFET。由于其低导通电阻和低输入电容,它用于电源管理应用。MOSFET可以容易地由3.3V或5V系统电压控制,因为它具有低阈值电压。

PIN配置

PIN号码

PIN名称

描述

1

资源

电流通过来源流出

2

控制MOSFET的偏置

3.

流走

电流通过排水管流入

特征

  • N沟道MOSFET具有低导通电阻的MOSFET
  • 连续排水电流(ID)是200mA
  • 漏极源电压(VDS)为60V
  • 状态电阻<5Ω
  • 最小栅极阈值电压(VGS-TH)是1V
  • 最大栅极阈值电压(VGS-TH)是3V
  • 打开并关闭时间是15ns和8ns
  • 可提供至92和SOT23-3L包装

注意:可以在此处找到完整的技术信息2n7002数据表在本页结束时给出。

2n7002替代品

NTR4003,FDC666,FDC558

2n7002等效p沟道

BSS84,FDN358P

其他N沟道MOSFET

BS170N.IRF32052n7000.IRF1010E.IRF540N.

2n7002简介

2N7002是一种逻辑电平MOSFET,具有低导通电阻。MOSFET具有低栅极到源阈值电压为2.1V,通常这使得MOSFET即使是3.3V应用电路也适用。由于MOSFET对状态电阻较低,因此在MOSFET in ON时,它具有高效率。由于此属性,它可以保持高开关性能,从而广泛使用电源管理应用。

MOSFET还采用SMD封装,因此可用于紧凑型应用。MOSFET的一个相当大的缺点是其低漏极电流;它可以提供200mA的连续电流,并且在最大阈值电压下高达1A的峰值电流。任何东西都会损坏MOSFET。

2N7002应用程序

  • 低电流和低压切换应用
  • DC-DC转换器
  • 兴趣应用
  • 需要低导通电阻的应用。
  • 电源管理应用程序

2D模型

MOSFET在SOT23和92封装中提供,SOT 23封装的尺寸如下所示。请参阅下面的数据表以获取其他尺寸。

2N7002 MOSFET尺寸

组件数据表

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