FGA15N120 IGBT
这FGA15N120是高压IGBT，带有收集器，发射器电压为1200V，连续收集器电流为30a。它还具有非常低的收集器发射极饱和电压为1.9V，开关损耗低。
引脚描述
引脚号 |
引脚名称 |
描述 |
1 |
门 |
控制IGBT的偏见 |
2 |
集电极 |
电流通过来源流入 |
3 |
发射极 |
电流通过发射极流出 |
特征
- 高饱和电压的高压IGBT
- 收集器发射器电压（VCE）：1200V
- 收集器电流（IC）：30a @25°C
- 最小门阈值电压（VGE）为4.5V
- 最大门阈值电压（VGE）为8.5V
- 栅极发射器电压为（VGE）为±20V（最大）
- 上升时间和秋季时间分别约为20N和100N。
- 在TO-3P软件包中可用
笔记：完整的详细信息可以在FGA15N120 IGBT数据表链接在此页面的底部。
FGA15N120的替代方案
FGA25N120，TA49123，FGA180N33
FGAXXN120系列IGBT
Fairchild半导体在FGAXXN120系列下有高压IGBT的列表。该系列中的所有IGBT都具有Non Punch（NPT）技术，因此它具有非常低的开关损耗和低饱和电压，因此可在低压开关驱动器设计中使用，其切换范围效率相对较高。
这些IGBT的当前额定值在前缀FGA之后表示。例如，FGA15N120 IGBT在125°C下为15A收集器电流进行了额定评分，同样，FGA25N120的额定值为25A。数字120表示IGBT的收集器发射器电压为1200V。
在哪里使用FGA15N120 IGBT
FGA15N120是高压IGBT，可用于切换高电压值，为高电压值1200V，电流功能在25°C时为30a。它可以进一步处理高达45A的高脉冲电流，适用于涉及高压和切换电流尖峰的应用。
15N120 IGBT具有扩展的雪崩能力，即IGBT可免疫杂散电感问题。即使收集器发射器电压超过额定电压，由于此属性，它们也不会故障。因此，这些IGBT可用于坚固的开关设计。
像所有IGBT一样，与MOSFET相比，收集器和发射极的FGA15N也遭受了低的开关速度和高压下降。因此，如果设计需要高效率和更快的开关设备，则应该更喜欢MOSFET而不是IGBT。在涉及高开关电压和电流的设计中，IGBT是首选的。
如何使用FGA15N120
IGBT是MOSFET和BJT的组合，正如我们从其引脚出口中注意到的那样。它在输入侧具有类似于MOSFET和收集器和发射器的输出侧的栅极，类似于BJT。这表明IGBT只是一个MOSFET，并在其输出侧与BJT结合，以利用MOFET和BJT的优点。
类似于IGBT中的MOSFET，也必须触发栅极引脚，最小门电压才能关闭开关。在FGA15N120中，最小门饱和电压为4.5V，但通常在设计中使用5V，可以使用收集器发射器电压和必须切换的收集器发射器电压来计算所需的栅极触发电压，并使用数据表中的图形如下所示，如下所示
一旦触发栅极，即使在触发电压被拆除后，IGBT仍将保留在类似于MOSFET之后。这是因为IGBT的输入门销上存在栅极电容。要关闭设备，只需将IGBT的栅极连接到地面，就必须放电栅极电容。由于通常，尽管使用了10K的下拉电阻或像IR2104这样的栅极驱动器IC，但IGBT的栅极引脚连接到了地面。
当使用IGBT用于开关电路时，应注意它在高频设计中不使用，因为收集器发射器电压下降（开关损失）IGBT随着开关频率的增加而增加。该图可以在数据表中找到。
申请
- 高电压，高电流开关设计
- 感应加热
- 微波炉
- 大电磁阀
- 特斯拉线圈
- 转换器或逆变器电路
组件的2D模型
如果您正在设计具有此组件的PCB或Perf板，那么FGA15N120数据表中的以下图片对于知道其包装类型和尺寸将很有用。
