4N25 -光电晶体管光耦合器集成电路
4N25功能和规格
- 红外LED开路正向电压:1.25V-1.5V(一般为1.3V, 1.5V为绝对最大正向电压)
- 红外LED在开启时的正向电流:10mA - 60mA(通常10mA, 60mA是绝对的最大正向电流)
- 最大反向电压:5V
- 红外发光二极管最大反向电流:100uA
- 通过晶体管集电极和发射极的最大电压:70V
- 最大电流允许低谷晶体管集电极:100mA
- 典型起床时间:2us
- 典型的秋季时间:2us
- 不需要额外的功率就可以使芯片工作。
4机n25等价物
4机n25光耦合器集成电路有很多替代品，比如4N26, 4N27, 4N28, 4N33，MCT2E, PC817。我们需要在更换前仔细检查参数和Pin配置。不带电压、电流、频率等参数进行更换，可能造成永久性损坏。
类似Opto-coupler ICs
MOC3021(基于可控硅的光电耦合器，用于控制交流RMS电压)，FOD3180(高速MOSFET)，
为什么要使用4N25光耦
为理解使用APP亚博娱乐 考虑:
Case1:你想把负载电路和控制电路隔离开来。假设你想控制一个小的速度直流电机采用单片机进行PWM输出。这种设置是不可行的vip亚博 敏感设备。因此，为了隔离负载电路和保护控制器免受电压波动的影响，我们使用了光电耦合器。
例2:假设你想触发一个场效应晶体管驱动高功率负载的电路。MOSFET的触发电压通常是12V。这些电压爆发(+12V)需要MOSFET驱动控制高功率负载不能从控制器。控制器输出+3.3V或+5V脉冲。在这些情况下4机n25光耦合器芯片是理想的。
Case3:考虑我们想切换一个12V继电器回路220V交流风扇根据树莓PI输出。在这种情况下使用4N25是理想的，因为考虑到晶体管或MOSFET, 4N25的功耗可以忽略不计。
如何使用4N25光耦
4机n25光耦合器集成电路它集成了两个组件。一种是红外二极管，另一种是红外光电晶体管。IR二极管连接在端子1和2之间，光电晶体管连接在端子4、5和6之间。下面可以看到两个组件的内部设置。红外LED发出的红外辐射在芯片外是不可见的。辐射的整个问题将在背景下进行。
为了理解光耦合器，我们将考虑如下所示的电路。
我们将从微控制器得到+3.3电压脉冲，这些是驱动到红外二极管的正极。当红外二极管通电时，它会在内部发射红外线，当这些射线落在光电晶体管上时，晶体管被打开。当晶体管调谐到ON时，电流流过负载电路，电压将在电机上被看到。因此，当单片机电路提供高逻辑时，电机就会旋转4机n25芯片．
当控制器输出为LOW时，IR二极管输入为LOW。与此同时，红外二极管内部停止发射辐射。由于辐射被切断，光电晶体管被关闭，因为辐射充当基极触发器。所以它的低阻状态变成高阻状态。在高电阻的情况下，晶体管上出现完整的电源电压，负载电路中的电流流为零。所以马达停止转动。因此，当微控制器输入到4N25低时，电机停止旋转。
在这个电路中，你可以看到电机从+12V电池源而不是从控制器电路中获取电力。这里的光电晶体管侧二级电路与控制器-光电二极管一级电路完全隔离。这里的电阻是用来限制电路中的电流的。记下电阻值随电压的变化而变化。
开关时间4N25
在正常情况下，你不需要考虑4N25芯片的切换延迟。这些延迟是4N25的响应时间延迟。只有当开关频率超过1MHz时，才需要考虑这个定时。
当开关频率升高时，我们需要考虑4N25的两个参数，以避免误差。这两个参数是RISETIME (tr+td)和FALLTIME (ts+tf)。为了理解这些参数，请以上述电路为例。
在这里,我F为红外二极管正向电流。Vo是输出。这里，当光电晶体管打开时，Vo变低，当光电晶体管关闭时，Vo变高。在另一种意义上，它是跨越晶体管的电压，它代表光电晶体管的状态。
如图所示，考虑红外二极管提供功率，红外二极管发出辐射，光电晶体管被打开。但正如你在图中所看到的，在提供LOGIC INPUT和输出处的Vo变为LOW之间存在时间延迟。这种提供响应的延迟称为RISETIME (tr+td)。4N25的上升时间(tr+td)为2uS。
类似地，考虑到IR二极管电源被切断，光电晶体管被关闭。但正如你在图中所看到的，在逻辑输入低电平和输出电平高电平之间存在时间延迟。这种提供响应的延迟称为FALLTIME (ts+tf)。4N25的FALLTIME (ts+tf)为2uS。
这里td和ts是纳秒级的，所以它们通常被忽略。
因此这些4N25的时滞响应会堆积起来，导致重大错误。所以在高频时，我们需要考虑时间延迟。
应用程序
- 直流电动机转速控制
- 照明系统
- 脉宽调制的应用程序
- 交流电源检测
- 簧片继电器驱动
- 开关模式电源反馈
- 电话铃检测
- 逻辑上隔离
- 逻辑耦合与高频噪声抑制
2维模型
