晶体管是电子电路中使用的非常重要的一个组件结构。这些卑微的组件可以几乎是随处可见;从简单的继电器驱动电路复杂主板电路、晶体管证明自己的存在。事实上,你的微控制器和微处理亚博真人器是一个大的集合的晶体管数量合成来执行一个集体操作。记得很多开关是机器等设备,场效应晶体管,IGBT,可控硅,双向可控硅,双向开关二极管等可统称为晶体管。但是,最基本的(老)晶体管是晶体管,因此在本文中,我们进入细节,您可以使用链接了解更多关于其他电源开关。

以下是短形式的双极结型晶体管,它是一种固态电流控制装置可用于电子开关电路,你可以把它作为你的普通风扇和灯的开关,而是你把它手动电子控制。技术上来说,是与发射器是一个三端设备,收集器,插脚,通过发射极和集电极电流控制的电流应用于基础。你能想到的发射极和集电极的两端开关,按下开关,我们有管脚可接收控制信号。但它究竟是如何工作的呢?以及如何使用晶体管构建有趣的电路?这正是我们将在本教程中回答。

以下是晶体管的象征

让我们开始的晶体管的象征这样你可以在电路识别它们。下面的图显示了这两个的象征类型的晶体管。左边的是PNP型晶体管的象征和右边的是NPN型晶体管的象征。就像我说的,你可以看到三个终端发射极,收藏家和基础的类型的晶体管。

的区别PNP型和NPN型晶体管是发射器上的箭头标志结束如果你已经注意到,箭头吗PNP型晶体管是提到从基地而在发射器NPN型晶体管箭头将从基础到发射器。箭头的方向代表晶体管中的电流方向,在PNP型电流将从发射极流向基地,同样,在NPN型晶体管发射极电流将从基地。

另一个重要的区别是,一个NPN型晶体管仍处于打开状态,直到收到信号管脚而PNP型晶体管保持关闭,直到一个控制信号提供给所示的管脚上面的GIF文件。

双极结晶体管的建设

是机器是由三层半导体材料,如果它是一个PNP晶体管,它将有两个p型区域和一个n型地区,同样的,如果它是一个NPN型晶体管,它将有两个n型区域和一个p型地区。的两个外层集电极和发射极终端是固定和基地终端固定在中心层。

建筑可以被解释的两个二极管晶体管的类比如上图所示,如果你想了解更多关于二极管,您可以考虑读他的文章。考虑使用阴极两个二极管连接彼此,然后会议点可以扩展形成基本终端和两个阳极结束作为一个PNP晶体管的集电极和发射极。类似地,如果您连接二极管的阳极结束的会议点基础的阳极可以扩展到终端和两个阴极结束作为NPN型晶体管的集电极和发射极。

工作的晶体管(是)

实际上晶体管的工作很简单,它可以用作开关或一个放大器。但对于基本了解我们如何开始晶体管作为开关在电路工作。

当一个控制电压提供给插脚,所需的基极电流(我_B)流入管脚控制基地电阻器。当前打开晶体管(开关关闭),并允许从发射极电流流动。当前被称为集电极电流(我_C)和集电极和发射极电压称为V_是。图像中可以看到,我们使用的是低电压5 v驱动更高的12 v电压负载使用这种晶体管。

现在的理论,考虑一个NPN型晶体管,是结正向偏压和CB结反向偏置。结的耗尽区宽度的CB高相比,结的耗尽区。是结正向偏置时减少潜在的障碍,因此,电子开始从发射器到基地。基区很薄和轻掺杂与其他地区相比,因此,它由一个很小的孔,电子的流动从发射器将重组洞出现在基地的地区,开始流出基地地区基极电流的形式。大量的电子离开将在反向偏压集电结在集电极电流的形式。

基于基尔霍夫电流定律,我们可以作为当前帧方程

我E=我B+我C

我在哪里,_E,我_B,和我_C发射器,分别为基础,和集电极电流。这里的基极电流会很小的发射极和集电极电流相比,因此,我_E~我_C

同样的,当你考虑到PNP晶体管,他们以同样的方式运作NPN型晶体管,但在NPN型晶体管大部分电荷载体是穴(带正电的粒子),但在NPN型晶体管电荷载体的电子(带负电荷的粒子)。

的特点是

是机器可以连接在三个不同的配置通过保持一个共同终端和使用其他两个终端的输入和输出。这三种类型的配置对输入信号的反应不同应用于电路的静态特征的是机器。这三个不同配置的是下面列出。

• 公共基础(CB)配置
• 共发射极(CE)配置
• 常见的收集器(CC)配置

其中,公共基础配置将电压增益,但没有电流增益,而常见的收集器配置电流增益,但没有电压增益和共发射极配置会有电流和电压增益。

公共基础(CB)配置

也称为公共基础配置接地的基本配置的基础,是连接作为一种常见的输入和输出信号之间。是机器的输入在基极和发射极终端和应用的输出是获得整个基地和收藏家终端。输入电流(I_E)流经发射器将相当高相比,基极电流(I_B)和集电极电流(I_C)随着发射极电流基极电流和集电极电流的总和。自从集电极电流小于发射极电流输入输出这个配置将团结的电流增益(1)或更少。

输入特征

的输入特性曲线公共基础配置的射极电流之间的吸引我_E和基极和发射极之间的电压V_海尔哥哥。在公共基础配置,晶体管正向偏压,因此它将显示特征类似于远期的pn二极管的特性我_E增加固定V_海尔哥哥当V_CB增加。

输出特性

输出特性之间的公共基础配置给出了集电极电流_C和收集器和基础之间的电压V_CB,我这里射极电流_E是测量参数。基于操作,有三个不同地区的曲线,起初,活跃的地区,这里是机器会正常运营和发射极结反向偏置。接下来是饱和区域发射极和集电极连接在正向偏压。最后,截止区发射极和集电极结反向偏置。

共发射极(CE)配置

共发射极的配置也被称为的发射极接地配置发射器作为输入之间的共同的终端应用基极和发射极和集电极和发射极之间的输出了。这个配置生产最高的电流和功率增益相比与其他两种类型的配置,这是由于输入阻抗低,因为它是连接到一个正向偏压PN结而获得的输出阻抗高,因为它的PN结反向偏置。

输入特征

的输入共发射极配置的特点基极电流之间的吸引我吗_B和基极和发射极之间的电压V_是。在集电极和发射极之间的电压是最常见的参数。如果你能看到不会有很大的差别的前面配置的特性曲线参数的变化除外。

输出特性

集电极电流之间的输出特征吸引了我_C和集电极和发射极之间的电压V_CE。CE配置也有三个不同的地区活跃的地区集电结反向偏置,发射结正向偏压,截止,发射极结略反向偏置和集电极电流并非完全切断,最后,在饱和区域,集电极和发射极结正向偏压。

常见的收集器(CC)配置

常见的收集器配置也被称为接地收集器配置收集器终端在哪里作为输入信号之间的共同的终端应用基础和发射器,和获得的输出信号在集电极和发射极。这个配置通常被称为电压跟随器和射极跟随器电路。这个配置将是有用的阻抗匹配的应用程序因为它有很高的输入阻抗,在该地区成千上万的欧姆,相对较低的输出阻抗。

应用双极结晶体管(是)

是可以用在各种各样的应用,如逻辑电路、放大电路、振荡电路、multi-vibrator电路、限幅电路、定时器的电路,延时电路、开关电路等。

类型的包

更好的使用在不同的应用程序中,以下是可用在各种包如3,5,8,18,36,到39,至46,52,- 66,- 72,- 92,- 126,- 202,- 218,- 220,- 226,- 254,- 257,- 258,- 259,- 264,- 267。你也可以检查我们不同类型的集成电路方案文章知道流行的类型和他们的名字。