受欢迎的mosfet常用电力电子设计

2020年1月10 - - - - - - 0评论

MOSFET是电力电子学的重要组件之一,我们已经介绍了很多场效应管销图、数据表、特性和如何使用它们的电路。选择一个MOSFET为您的项目可能是一个艰巨且耗时的任务你必须经过每个MOSFET的规范。所以我们决定合并受欢迎的mosfet列表它可以帮助为应用程序选择正确的MOSFET。

所以,如果你正在建设一些电力电子电路和思考如何选择正确的MOSFET为您的特定应用程序,这是流行的通孔和表面安装mosfet的列表,您可以找到在你的本地或在线商店。

BS170

的BS170是一种最常见的n沟道增强型MOSFET被许多电子设计人员和爱好者;它有一个- 92包与低压低电流应用程序并执行最佳。

BS170 MOSFET的一些基本特征使它适合某些应用程序例如:

它有一个低阈值电压为2.1 v,这意味着它可以由单片机如Arduino 3.3 v逻辑水平。
它有一个低输入电容的22 pf使它适合基本高频开关驱动程序。
低导通电阻的2.5Ω提高MOSFET等应用程序的效率高功率LED驱动程序。
的7 ns开关速度非常快,这意味着它可以作为SPI的双向逻辑电平转换器,I2C和UART。
它可以用作一个低噪声前置放大器,电压放大器配置。

最重要的参数:

评级	象征	价值	单位
排水−电压源	VDS公司	60	直流
门−电压源 −连续非−−重复(tp≤50年代)	vg VGSM	±20 40±	直流 Vpk
排水−源导通电阻 (vg = 10伏直流电,ID = 200 mAdc)	RDS(上)	1.8	Ω
漏极电流(注意)	ID	0.5	Adc
设备总耗散@ TA = 25°C	PD	350年	兆瓦
排水−源击穿电压 (vg = 0, ID = 100 mAdc)	V (BR) DSS	90年	直流
总闸极电荷 (VDS = 30 V, ID = 0.5, vg = 20)	路上(Max)	2.4	数控
门阈值电压 (VDS = vg, ID = 1.0 mAdc)	vg (Th)	2.0	直流
操作和储存结温度范围	TJ, 测试	−55到 + 150	°C

零件号:BS170

数据表的链接:BS170 MOSFET数据表链接

同类产品:BS170F

BS250

BS250是一个p沟道增强型MOSFET- 92包,它的目的是使用低电压、低电流的应用程序。下面列出的是一些BS250 MOSFET的基本特性,这使得它非常适合于特定应用程序:

它有一个低阈值电压为-1.9 v,这意味着它可以由一个1.8 v逻辑水平微控制器。亚博真人
因为它是一个p沟道MOSFET可用于高压侧开关应用
由于较低的导通电阻,可以抬高.18A负载。
只有16 nS的切换速度快,低输入电容的只有15 pf许多切换应用程序使它成为一个合适的选择。
它可以用来驱动继电器、螺线管、灯、显示屏,记忆,功率晶体管和汽车。

最重要的参数

评级	象征	价值	单位
排水−酸ce电压	VDS公司	−45	直流
门−电压源 −连续	vg	25±	直流
排水−源导通电阻 (vg = -10 Vdc, ID = -0.2 Adc)	RDS(上)	14	Ω
漏极电流,连续 ——脉冲	ID IDM	−0.18 2.2	Adc
设备总耗散@ TA = 25°C	PD	0.83	W
排水−源击穿电压马(vg = 0, ID = 21)	V (BR) DSS	−45	直流
总闸极电荷	路上(Max)。	1.8	数控
门阈值电压 (VDS公司= vg, ID = - 250μA)	vg (Th)	−1−3.5	直流
操作和储存结温度范围	TJ, 测试	−55到 + 150	°C

零件号:BS250

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同类产品:BSP254A,TP0610KL

注意:这是一个常见的产品可以在本地存储和操作温度的开关时间本质上是独立的。

BSS138

的BSS138是最常见的n沟道MOSFET增强使用在半导体生产的专有的基于高细胞密度和DMOS结构技术,这是被许多电子生产企业、设计师和爱好者。最好有SOT-23包和执行低压低当前应用程序。

一些基本的BSS138 MOSFET的特点使它适合某些应用程序(如:

它有一个非常低的门阈值电压为1.5 v,这意味着它可以由一个1.8 v逻辑电平单片机。
它有一个低输入电容的27 pf@1mhz这使得它基本高频开关驱动一个合适的选择。
低导通电阻的3.5Ω和使用状态的漏极电流200毫安使它适合领导,电动机或继电器驱动的应用程序。
它有一个非常快的开关速度20 nS的最佳选择双向逻辑电平转换器。

最重要的参数

评级	象征	价值	单位
排水−电压源	VDS公司	50	直流
门−电压源 −连续非−−重复(tp≤50年代)	vg VGSM	±20 40±	直流 Vpk
排水−源导通电阻 (vg = 10伏直流电,ID = 200 mAdc)	RDS(上)	3.5	Ω
漏极电流,连续 ——脉冲	ID	口径。多多	Adc
设备总耗散@ TA = 25°C	PD	360年	兆瓦
排水−源击穿电压 (vg = 0, ID = 100 mAdc)	V (BR) DSS	50	直流
总闸极电荷	路上(Max)。	2.4	数控
门阈值电压 (VDS = vg, ID = 1.0 mAdc)	vg (Th)	1.5	直流
操作和储存结温度范围	TJ, 测试	−55到 + 150	°C

零件号:BSS138

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同类产品:BSS123,BSS126H6327XTSA2

注意:这是一种常见的产品,可以在本地存储。还有,记得设计PCB正确使用这个PCB设计不当会导致热的问题。

IRF540

的IRF540是另一个最常见的增强n沟道MOSFET这是由许多电子设计人员和爱好者使用。谈到ab - 220包,所以最好是首选的所有商业工业应用程序和执行较低电压高电流应用。低的热阻和低包的成本- 220 ab很受欢迎。下面列出了一些基本的功能和应用

它有一个低阈值电压为2.1 v,这意味着它可以由一个3.3 v逻辑电平Arduino和PIC单片机等微控制器。
它有一个非常低的导通电阻只有77 mΩ使它适合开沉重的负担。
用于许多切换应用程序由于切换速度快和较低的输入电容。
低导通电阻和低输入栅极电容使它适合并行操作。
动态dv / dt防止虚假切换、振荡或MOSFET的永久性损伤。

最重要的参数

评级	象征	价值	单位
排水−电压源	VDS公司	One hundred.	直流
门−电压源 −连续	vg	±20	直流
排水−源导通电阻 (vg = 10伏直流电,ID = 17 Adc)	RDS(上)	0.077	Ω
漏极电流,连续 ——脉冲	ID IDM	28 110年	Adc
设备总耗散@ TA = 25°C	PD	150年	W
排水−源击穿电压 (vg = 0, ID = 250μA)	V (BR) DSS	One hundred.	直流
总闸极电荷	路上(Max)。	72年	数控
门阈值电压 (VDS = vg, ID = 250μA)	vg (Th)	4	直流
操作和储存结温度范围	TJ, 测试	- 55 + 175	°C

零件号:IRF540NPBF

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同类产品:IRF520,IRF530,IRF640,IRF840

注意:这是一种常见的产品,可以在当地找到电子元件店。

IRF9540

IRF9540是最常见的p沟道增强型硅栅MOSFET被许多电子产品设计师和爱好者。在- 220包,这是一个完美的选择对于各种商业工业应用程序,它与低电压高电流应用程序执行最好。

一些基本的功能和应用IRF9540 MOSFET下面列出:

动态dv / dt防止虚假切换、振荡、MOSFET或永久性的伤害。
它有一个非常低的导通电阻为0.2Ω提高系统的整体效率。
因为它是一个p沟道MOSFET可用于高压侧开关应用
这MOSFET逆变器应用程序是一个完美的选择。
由于其宽工作温度和低成本是整个行业广泛接受。

最重要的参数

评级	象征	价值	单位
排水−电压源	VDS公司	-100年	直流
门−电压源 −连续	vg	±20	直流
排水−源导通电阻 (vg = -10 Vdc, ID = -11 Adc)	RDS(上)	.20	Ω
漏极电流,连续 ——脉冲	ID IDM	- 19 - 72	Adc
设备总耗散@ TA = 25°C	PD	150年	W
排水−源击穿电压 (vg = 0, ID = - 250μA)	V (BR) DSS	-100年	直流
总闸极电荷	路上(Max)。	61年	数控
门阈值电压 (VDS公司= vg, ID = - 250μA)	vg (Th)	-4.0	直流
操作和储存结温度范围	TJ, 测试	- 55 + 175	°C

零件号:IRF9540

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同类产品:IRF9530NPBF,IRF9630PBF

注意:这是一种常见的产品,可以在当地找到电子元件店。

IRFZ44NPbF

IRFZ44NPbF是另一个最常见的n沟道增强型MOSFET设计与国际先进整流器HEXFET®技术,它使用许多电子设计人员和爱好者,由于其极低的导通电阻。它有- 220包,这是所有商业工业普遍首选应用程序,所以最好执行低压低当前应用程序。

一些IRFZ44NPbF MOSFET的基本特性使它适合某些应用程序下面列出:

动态dv / dt防止虚假切换、振荡或MOSFET的永久性损伤。
它有一个非常低的导通电阻的17.5 mΩ最大化系统的效率。
通用应用程序像一个汽车司机,逆变器、开关电源、直流-直流转换器是由MOSFET。

最重要的参数

评级	象征	价值	单位
排水−电压源	VDS公司	60	直流
门−电压源 −连续	vg	±20	直流
排水−源导通电阻 (vg = -10 Vdc, ID = -11 Adc)	RDS(上)	0.028	Ω
漏极电流,连续 ——脉冲	ID IDM	50 200年	Adc
设备总耗散@ TA = 25°C	PD	150年	W
排水−源击穿电压 (vg = 0, ID = - 250μA)	V (BR) DSS	60	直流
总闸极电荷	路上(Max)。	67年	数控
门阈值电压 (VDS公司= vg, ID = - 250μA)	vg (Th)	4.0	直流
操作和储存结温度范围	TJ, 测试	- 55 + 175	°C

零件号:IRFZ44NPbF

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同类产品:IRFZ20,IRFZ24NPBF,IRFZ34PBF,IRFZ44NPBF

注意:这是一种常见的产品,可以在当地找到电子元件店。另外,注意其连续漏电流(ID)是有限的包。

IRLZ44N

的IRLZ44N是另一个最常见的n沟道增强型MOSFET设计与国际整流器第五代先进HEXFET®技术。它使用许多电子设计师,因为它有- 220包,这是所有商业工业普遍首选应用程序和与低压低电流应用程序最好执行。

一些IRLZ44N MOSFET的基本特性使它适合某些应用程序下面列出:

这是一个逻辑电平MOSFET这意味着它可以由许多不同类型的单片机。
低导通电阻的MOSFET使它适合许多大电流驱动的应用程序。
它支持许多高电流MOSFET栅极驱动电路由于低只有3.3 nf的输入电容。
动态dv / dt防止虚假切换、振荡或MOSFET的永久性损伤。
这MOSFET等许多通用的应用程序可以使用h桥电机驱动,功率MOSFET栅极驱动和许多更多。

最重要的参数

评级	象征	价值	单位
排水−电压源	VDS公司	60	直流
门−电压源 −连续	vg	±10	直流
排水−源导通电阻 (vg = -10 Vdc, ID = -11 Adc)	RDS(上)	0.028	Ω
漏极电流,连续 ——脉冲	ID IDM	50 200年	Adc
设备总耗散@ TA = 25°C	PD	150年	W
排水−源击穿电压 (vg = 0, ID = - 250μA)	V (BR) DSS	60	直流
总闸极电荷	路上(Max)。	66年	数控
门阈值电压 (VDS公司= vg, ID = - 250μA)	vg (Th)	2.0	直流
操作和储存结温度范围	TJ, 测试	- 55 + 175	°C

零件号:IRLZ44N

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同类产品:IRLZ34PBF,IRLZ14PBF

注意:这是一种常见的产品,可以在当地找到电子元件店。它是由包所以考虑当前有限的数据表,选择方案。

SSM6N7002KFU,低频

SSM6N7002KFU,如果是一个不常见的增强n沟道MOSFET和有US6包,所以它可以用在一些非常紧凑的产品和应用程序。成本很低的MOSFET是合适的选择应用程序其中一些下面列出:

它有一个低阈值电压为2.1 v,这意味着它可以由单片机或MOSFET栅极驱动器集成电路。
它拥有两个场效应管在一个US6包,因此它可以配置为一个网格状的司机。
低导通电阻的只有1.2Ω使它适合于功率MOSFET栅极驱动程序
双场效电晶体在DS6包也可以配置为一个恒流驱动。
这个MOSFET限定AEC-Q101标准即MOSFET为汽车应用程序是一个完美的选择。
体积小、相对高功率和稳健设计适合作为无刷直流电机驱动。

最重要的参数

评级	象征	价值	单位
排水−电压源	VDS公司	60	直流
门−电压源 −连续	vg	±20	直流
排水−源导通电阻 (vg = 10伏直流电,ID = 100 mAdc)	RDS(上)	1.5	Ω
漏极电流,连续 ——脉冲	ID 国内流离失所者	300年 1200年	mAdc
设备总耗散@ TA = 25°C	PD	500年	兆瓦
排水−源击穿电压 (vg = 0, ID = - 250μA)	V (BR) DSS	60	直流
总闸极电荷	路上(Max)。	0.6	数控
门阈值电压 (VDS公司= vg, ID = - 250μA)	vg (Th)	2.1	直流
操作和储存结温度范围	TJ, 测试	- 55 + 150	°C

零件号:SSM6N7002KFU,低频

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同类产品:SSM6K18TU (TE85L F),SSM2135SZ

注意:连续使用SSM6N7002KFU,低频MOSFET在沉重的负载的情况下可能会导致这种产品在可靠性显著减少即使在额定规格操作条件。不容易在商店,但网上。

RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB是另一个独特的增强n沟道MOSFET HSMT8包装的,所以它有一个相当不错的热力性能与低电压高电流应用程序并执行最佳。低导通电阻的只有6 mΩ这MOSFET的另一个独特的特性,和非常低的包HSMT8很合算的成本用于设计和生产。

一些基本的RQ3E130BNTB的特性和应用下面列出:

极低的导通电阻只有6 mΩ和小尺寸使其大功率紧凑型电子设计一个完美的选择。
高功率HSMT8包很容易在PCB设计保暖内衣裤
应用包括小电源,直流-直流转换器、电力输送系统,汽车司机,和更多。

最重要的参数

评级	象征	价值	单位
排水−电压源	VDS公司	30.	直流
门−电压源 −连续	vg	±20	直流
排水−源导通电阻 (vg = -10 Vdc, ID = -11 Adc)	RDS(上)	0.006	Ω
漏极电流,连续 ——脉冲	ID IDM	39 52	Adc
设备总耗散@ TA = 25°C	PD	16	W
排水−源击穿电压 (vg = 0, ID = - 250μA)	V (BR) DSS	30.	直流
总闸极电荷	路上(Max)。	36	数控
门阈值电压 (VDS公司= vg, ID = - 250μA)	vg (Th)	2.5	直流
操作和储存结温度范围	TJ, 测试	- 55 + 150	°C

零件号:RQ3E130BNTB

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同类产品:RQ3E160ADTB,RQ3E100BNTB,RQ3E120ATTB,RQ3E070BNTB

请注意:它也不容易在商店,但可以在线购买。

DMP210DUFB4-7

DMP210DUFB4-7是另一个独特的p沟道MOSFET增强和它有一个X2-DFN1006-3包1.1 x0.7x0.4毫米的尺寸,这意味着它几乎很小。导通电阻的只有5Ω它可以成为一个伟大的选择设计工程师寻找小信号场效电晶体。

DMP210DUFB4-7 MOSFET有许多独特的特性,下面列出:

p沟道MOSFET为高压侧开关应用方便。
低导通电阻5Ω和使用状态的漏极电流200毫安使它适合领导,电动机或继电器驱动的应用程序。
门阈值电压非常低的只有-1.0 v确保其能力是由单片机驱动。
它有一个低输入电容的13.7 pf使得这一个合适的选择,一个基本的高频开关驱动程序。
快速切换的速度只有7.7 ns确保准确的切换性能
门的ESD保护二极管终端显著提高了防静电性能。
这个MOSFET限定AEC-Q101标准即MOSFET为汽车应用程序是一个完美的选择。

最重要的参数

评级	象征	价值	单位
排水−电压源	VDS公司	-20年	直流
门−电压源 −连续	vg	±10	直流
排水−源导通电阻 vg = -1.5 v, ID = -10 ma	RDS(上)	15	Ω
漏极电流,连续 ——脉冲	ID IDM	-200年 -600年	马
设备总耗散@ TA = 25°C	PD	350年	兆瓦
排水−源击穿电压 (vg = 0, ID = - 250μA)	V (BR) DSS	-20年	直流
总闸极电荷	路上(Max)。	30.	数控
门阈值电压 (VDS公司= vg, ID = - 250μA)	vg (Th)	-1.0	直流
操作和储存结温度范围	TJ, 测试	- 55 + 150	°C

零件号:DMP210DUFB4-7

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同类产品:DMP2170U-7,DMP2104LP-7

IRFP150NPBF

的IRFP150NPBF是另一个最常见的n沟道增强型MOSFET设计与国际整流器第五代先进HEXFET®技术,达到极低的导通电阻。这是许多电子设计师所使用的,因为它有- 247包,和它执行最好的低电压高电流商业工业应用。

一些IRFP150NPBF MOSFET的基本特性下面列出:

这MOSFET具有非常低的导通电阻只有36 mΩ和非常低的输入电容2.8 nf因此可以用于高速切换监管机构。
动态dv / dt防止虚假切换、振荡或MOSFET的永久性损伤。
这MOSFET适用于一些工业应用包括高功率smp电路、恒流负载和许多更多。
孤立的中央安装孔是一个奖金。

最重要的参数

评级	象征	价值	单位
排水−电压源	VDS公司	One hundred.	直流
门−电压源 −连续	vg	±20	直流
排水−源导通电阻 (vg = 10伏直流电,ID = 100 mAdc)	RDS(上)	0.055	Ω
漏极电流,连续 ——脉冲	ID 国内流离失所者	41 160年	Adc
设备总耗散@ TA = 25°C	PD	230年	W
排水−源击穿电压 (vg = 0, ID = 250μA)	V (BR) DSS	One hundred.	直流
总闸极电荷	路上(Max)。	140年	数控
门阈值电压 (VDS公司= vg, ID = - 250μA)	vg (Th)	4.0	直流
操作和储存结温度范围	TJ, 测试	- 55 + 175	°C

零件号:IRFP150

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同类产品:IRFP140NPBF,IRFP2907PBF,IRFP250MPBF,IRFP350PBF

注意:这是一种常见的产品,可以在当地的电子零件商店找到。

SiHG47N60E

的SiHG47N60E是另一个最常见的增强n沟道MOSFET行业中,它是由威世Siliconix。谈到在ac - 247包,这是所有商业工业高电压高电流应用程序的首选。低的热阻和低ac - 247包的包成本使它非常受欢迎。

一些基本的SiHG47N60E的特性和应用下面列出:

它有一个漏源击穿电压650 v和恒定的负载电流的32这意味着它是用于大功率工业应用。
输入电容低9.62 nf使它完美,高电压斩波驱动程序。
虽然这是一个非常高功率MOSFET,但它有一个非常低的门只有220数控这意味着它可以由一个非常便宜的MOSFET栅极驱动器集成电路。
雪崩能量等级(ui)使它与许多应用程序兼容。
的一些应用包括
- 开关型电源(smp),
- 功率因数校正的电力供应
- 荧光灯镇流器光
- 高强度放电灯
- 焊接
- 感应加热
- 电池充电器
- 太阳能(光伏逆变器)

最重要的参数

评级	象征	价值	单位
排水−电压源	VDS公司	600年	直流
门−电压源 −连续	vg	±30	直流
排水−源导通电阻 (vg = 10伏直流电,ID = 24 Adc)	RDS(上)	53	Ω
漏极电流,连续 ——脉冲	ID 国内流离失所者	47	Adc
设备总耗散@ TA = 25°C	PD	357年	W
排水−源击穿电压 (vg = 0, ID = 250μA)	V (BR) DSS	600年	直流
总闸极电荷	路上(Max)。	220年	数控
门阈值电压 (VDS公司= vg, ID = - 250μA)	vg (Th)	4	直流
操作和储存结温度范围	TJ, 测试	-55年到 + 150	°C

零件号:SiHG47N60E

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同类产品:SIHG47N60E-GE3

注意:这是一种常见的产品,可以在当地找到电子元件店。

STB55NF06FP

STB55NF06FP是另一个最常见的n沟道增强型MOSFET由意法半导体设计以其专有STripFET过程。谈到- 220 - fp包,可以执行最好的低电压高电流商业工业应用,较低的热阻。低包的成本- 220《外交政策》很受欢迎。

一些基本的STB55NF06FP的特性和应用下面列出

低的输入电容1300 pf使它适合许多高速切换应用程序。
7 V / ns dv / dt防止虚假切换、振荡或MOSFET的永久性损伤。
这MOSFET门很低的只有60数控这意味着在切换应用程序。它可以由一个非常便宜的MOSFET栅极驱动器集成电路。
的一些应用包括
- 开关式稳压器
- 直流-直流转换器
- 恒流负载

最重要的参数

评级	象征	价值	单位
排水−酸ce电压	VDS公司	60	直流
门−电压源 −连续	vg	±20	直流
排水−源导通电阻 (vg = 10伏直流电,ID = 27.5 Adc)	RDS(上)	0.015	Ω
漏极电流,连续 ——脉冲	ID 国内流离失所者	50 200年	Adc
设备总耗散@ TA = 25°C	PD	30.	W
排水−源击穿电压 (vg = 0, ID = 250μA)	V (BR) DSS	60	直流
总闸极电荷	路上(Max)。	60	数控
门阈值电压 (VDS公司= vg, ID = - 250μA)	vg (Th)	2 - 4	直流
操作和储存结温度范围	TJ, 测试	-55年到 + 150	°C

零件号:STB55NF06

数据表的链接:点击这里打开数据表

同类产品:SiHG47N60E

注意:这是一种常见的产品,可以在当地找到电子元件店。

IPB035N08N3 G

IPB035N08N3 G是另一个独一无二的增强n沟道MOSFET和它有一个PG-TO263-3包,所以它有一个相当不错的热力性能与低电压高电流应用程序并执行最佳。这是极低的导通电阻的只有3.5 mΩMOSFET和非常低的另一个独特的特性包PG-TO263-3成本使得它非常具有成本效益的解决方案设计和生产的目的。

一些基本的IPB035N08N3 G的特点及应用下面列出:

极低的导通电阻只有3.5 mΩ和小尺寸使其高功率密度电子设计一个完美的选择。
适合高频切换应用程序由于低闸极电荷和低输入电容。
低门只有30数控和低导通电阻的3.5 mΩ产品(FOM)。
雪崩能量等级(ui)使它与许多应用程序兼容。
的一些应用包括
- 开关型电源(smp),
- 直流-直流转换器
- 功率输出系统主板
- 恒流负载

最重要的参数

评级	象征	价值	单位
排水−酸ce电压	VDS公司	80年	直流
门−电压源 −连续	vg	±20	直流
排水−源导通电阻 (vg = 10伏直流电,ID = 100 Adc)	RDS(上)	0.0031	Ω
漏极电流,连续 ——脉冲	ID 国内流离失所者	One hundred. 400年	Adc
设备总耗散@ TA = 25°C	PD	214年	W
排水−源击穿电压马(vg = 0, ID = 21)	V (BR) DSS	80年	直流
总闸极电荷	路上(Max)。	117年	数控
门阈值电压 (VDS公司= vg, ID = - 250μA)	vg (Th)	2 - 3.5	直流
操作和储存结温度范围	TJ, 测试	-55年到 + 175	°C