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英国发展了新一代革命性的记忆来取代现有的DDR。。

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原标题:英国开发新一代革命性记忆以取代现有的DDR,据国外媒体报道,英国研究人员发现了一种新型的“记忆”,它使用III-V材料,主要是InAs和AlSb铝锑化物。由这些材料制成的NVDRAM非易失性存储器具有优良的特性,并且在相同的性能下,开关能量降低100%,即,功耗仅为现有DRAM存储器的1%,并且延迟可以低至10ns。总之,用这种新材料制成的存储芯片具有三大特点——超低功耗、写入无损数据、非易失性。

与DRAM存储器相比,其性能没有太大的提高。10ns级延迟与DDR4存储器类似,但上述三个特性,特别是非易失性,足以彻底改变“存储器”。然而,英国研究人员只找到了新一代III-V材料记忆的理论方向,而这种记忆的真正大规模制造仍然是徒劳的。因此,在2021-2022年期间,ddr5内存也将成为服务器市场和桌面市场的主力军。据了解,三星、MgO、海力士等公司量产的ddr5内存最高速度可达6400mbps。

(主编:df529)。。

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